带隙基准

white_w · 发表于 2021-12-3 09:09:40

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想问问各位朋友，目前想做带隙基准的话，用中芯国际的哪一个工艺比较合适呀

wkp1992101 · 发表于 2021-12-3 09:52:47

都合适，我的理解是任何工艺都可以做。

阿彩 · 发表于 2021-12-3 09:55:29

这不是得看你的指标吗，难道还有哪个工艺做不了Bg？

大话天神 · 发表于 2021-12-3 11:11:57

功耗电源抑制比环路增益温漂上电时间线性调整率你设计指标是啥

gongzhe1231 · 发表于 2021-12-3 11:35:15

带隙基准这么成熟的技术，哪个工艺都行啊，难道不应该是你们根据指标成本去选吗

xuwenwei · 发表于 2021-12-3 13:05:04

一般工艺的选择看数字电路吧模拟的话都可以做的一般

white_w · 发表于 2021-12-6 09:19:31

大话天神发表于 2021-12-3 11:11
功耗电源抑制比环路增益温漂上电时间线性调整率你设计指标是啥

指标：输入：3.5-25V；温漂：10ppm/℃，线性调整率：5mv；输出：2.5V
根据指标选工艺的话该怎么选呀

大话天神 · 发表于 2021-12-6 10:22:06

white_w 发表于 2021-12-6 09:19
指标：输入：3.5-25V；温漂：10ppm/℃，线性调整率：5mv；输出：2.5V
根据指标选工艺的话该怎么选呀
...

这个不挑工艺吧，现在.18或者更小应该都能做到

acging · 发表于 2021-12-6 11:21:35

大话天神发表于 2021-12-6 10:22
这个不挑工艺吧，现在.18或者更小应该都能做到

25V十有八九要上BCD工艺了。

大话天神 · 发表于 2021-12-6 11:26:33

acging 发表于 2021-12-6 11:21
25V十有八九要上BCD工艺了。

学习了

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