不同电位就 用 isolation device .或 device 下用 HVNW 包起来 欧..HVNW 接最高电位 , 如果是UHV 则有 trench , 不同 trench 围不同区, 但要小心 metal 间IMD 耐压 有限 . , Deep n_well 一般用 怕noise 去隔, 但耐压比较不够吧 , 若要高压类 要考虑 junction breakdown , 很多 P-N 都只15~17v .. 也可画double guard ring 去 画两层 guard ring ,一般会用IO 防latch-UP
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