关于低功耗带隙基准BGR电阻选择的问题

东方仗助 · 发表于 2021-11-17 11:01:33

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本人想做一个这样的BGR，其中功耗要求100nA以下，考虑到电流分配，我的R1设为100k，相应地Q1和Q2的multiplier比例为9:8，但是不可避免的R2要非常大，几M ohm，于是考虑用一个二极管连接的mos代替R2，不知这样是否可行？或者有什么更好的方案？

143800 · 发表于 2021-11-17 11:06:45

二极管连接不可以代替电阻，二极管连接相当于电流源，在这里不能替代电阻的作用。低功耗本身就跟面积是trade off。你可以将电流重新分配，R1路的PTAT电流分的少一点，IOUT路分多一点。

东方仗助 · 发表于 2021-11-17 15:52:05

143800 发表于 2021-11-17 11:06
二极管连接不可以代替电阻，二极管连接相当于电流源，在这里不能替代电阻的作用。低功耗本身就跟面积是trad ...

谢谢

haichao89 · 发表于 2021-11-17 15:58:07

这恐怕不行吧,R2需要跟R1匹配的.VBG的公式是跟R2/R1它们的比例相关,不是跟值相关.

东方仗助 · 发表于 2021-11-19 11:10:21

还有个思路，就是在第三路串两个Q3，这样R2可以小很多，但是会影响温度特性(ppm)

ZY6DEP · 发表于 2021-11-19 14:52:29

MOS管做电阻，误差是相当大的，像BG这种对电阻误差要求高的，肯定不行

ZY6DEP · 发表于 2021-11-19 14:54:48

要想功耗做低，面积大是必然的结果

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