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图1
图2
图3
图一是FFT频谱仿真图,取1024个点,采样时钟为10M,输入时钟频率为1.9375MHz,比较器采用的是理想比较器,开关为栅压自举开关,电容阵列为非二进制电容,异步SAR ADC,采用单调切换开关,共有14位转换,电容阵列分段且有冗余位,电容的进制设计如图3所示,实际电路中电容的取值为:
LSB(7位):由低到高:1C,2C,3C,6C,10C,18C,32C,由于分段引入的LSB补偿为38C
MSB(7位):由低到高:1C,2C,3C,6C,10C,18C,32C,没加由于MSB引入的补偿
最终vout由数字code转换为模拟信号的公式由图4所示:
图4
求助问题1:ENOB都与哪些设计因素有关呀?怎么改善ENOB?
问题2:非二进制的设计不知道是否合理,请大佬帮忙指出问题所在?对于单调切换开关设计非二进制电容阵列的时候,如果不算接固定电平的电容,电容阵列的总权重是不是应该等于2047呀?另外分段时,MSB一侧的实际电容应该怎么给呀,电容阵列每一位的权重不变,但是MSB分段后实际电容不是会减小吗?实际设计中MSB电容该根据什么给呢?
问题3:vout仿真的台阶特别少,不接近正弦波,vout两个保持不变的阶段距离特别大,像图2那种情况可能是哪些原因导致的呀?
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