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[求助] SAR ADC ENOB与什么有关

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发表于 2021-11-16 13:09:36 来自手机 | 显示全部楼层 |阅读模式

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SAR ADC 仿出来ENOB是负的为什么呀?比较器用的理想的,两个输入可以实现逼近
发表于 2021-11-16 14:08:07 | 显示全部楼层
fft设置的有问题吧
 楼主| 发表于 2021-11-16 20:22:26 | 显示全部楼层


输入频率设置有问题,谢谢大佬,但是仿真出来只有6点多bit,我做的是12bit,ENOB是只与电容阵列有关吗?ENOB这么低是不是电容阵列设计的完全不对呀?
 楼主| 发表于 2021-11-16 20:23:27 | 显示全部楼层


194845i50f7352c5b3mct3.png [size=0.83em]fft.PNG (113.6 KB, 下载次数: 0)
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[color=rgb(153, 153, 153) !important]半小时前 上传



图1
194845ur4pxw4k3ke7eyr4.png

图2

194845jt9imdm5mt3rx5il.png

图3





图一是FFT频谱仿真图,取1024个点,采样时钟为10M,输入时钟频率为1.9375MHz,比较器采用的是理想比较器,开关为栅压自举开关,电容阵列为非二进制电容,异步SAR ADC,采用单调切换开关,共有14位转换,电容阵列分段且有冗余位,电容的进制设计如图3所示,实际电路中电容的取值为:

LSB(7位):由低到高:1C,2C,3C,6C,10C,18C,32C,由于分段引入的LSB补偿为38C

MSB(7位):由低到高:1C,2C,3C,6C,10C,18C,32C,没加由于MSB引入的补偿

最终vout由数字code转换为模拟信号的公式由图4所示:

200747q7g8o4m86s14106a.png

图4

求助问题1:ENOB都与哪些设计因素有关呀?怎么改善ENOB?

问题2:非二进制的设计不知道是否合理,请大佬帮忙指出问题所在?对于单调切换开关设计非二进制电容阵列的时候,如果不算接固定电平的电容,电容阵列的总权重是不是应该等于2047呀?另外分段时,MSB一侧的实际电容应该怎么给呀,电容阵列每一位的权重不变,但是MSB分段后实际电容不是会减小吗?实际设计中MSB电容该根据什么给呢?

问题3:vout仿真的台阶特别少,不接近正弦波,vout两个保持不变的阶段距离特别大,像图2那种情况可能是哪些原因导致的呀?

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