采样开关下极板采样

vbstar · 发表于 2021-11-15 20:56:10

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对于下极板采样进行性能测试，模拟下极板采样过程，对采样阶段上极板接vcm，下极板接vin，保持阶段上极板先断开，下极板切换到地
进行fft变化，得到频谱图，输入信号8.3k，采样率1M，fs=fin*m/N。m=17
对于上极板是采用传输门进行充电，得到精度不够，将上极板的开关转换为理想开关，则得到16b的enob。
上极板开关如图：在采样阶段，左侧的传输门打开，同时通过一个传输门将vxn和vxp连接，保持阶段右侧传输门打开，接到比较器。理想开关工作模式与之相同。
想请问一下，是什么原因导致的精度下降呢？

mr_lin · 发表于 2023-7-15 00:19:36

老哥请问这个问题i你解决了吗？我在仿真时也发现了采样阶段上极板复位管导致精度下降的问题。求助。

icdane · 发表于 2023-7-15 08:14:20

Charge injection, clock feedthrough, bandwith, not complete reset....

mr_lin · 发表于 2023-7-15 14:56:45

icdane 发表于 2023-7-15 08:14
Charge injection, clock feedthrough, bandwith, not complete reset....

应该是复位管复位精度的问题。相比于理想开关，实际NMOS开关的复位管在采样结束时无法把上极板电压完全拉到Vcm。
但是若增大复位管的尺寸，可能是电荷注入等原因导致采样精度也会下降。这似乎不可避免存在折衷，过大和过小的复位管尺寸都不行。
目前仿真得到的最佳采样精度跟我的实际需求还有点差距（500k下ENOR达到18bit以上），请问有没有什么其他的方法解决这个问题呢？