问个蠢问题，片外电容的寄生ESL，需要放多少片上decap才能消除？

kanon0530

已知片外电容不咋好，估计2M以上就不是电容特性了。
那么明显片内模块一从LDO抽电流，整个ring就很大。
所以怎样才能确认模块本地的decap放够了呢？除了仿真硬调，还有别的轻松省力可以直接算的方法吗？毕竟这个时域仿真，它很慢啊。

目前想到的一个方式是建一个电源模型，一个理想电压源串内阻，再加上带着ESL和ESR的片外电容模型，再加上电源路径上的寄生阻抗，以及本地的decap，从本地的电源端口往里看，仿真s参数，看decap加到多少，ESL造成的电感特性被消除了。
先去试试，不知道是否有效。

kanon0530

ok，实际搭好了发现要把uF量级的电容带的百pHESL完全干掉，需要在片上实现百nF量级的电容。这不是搞笑么。
而且想想加入decap应该也不是指望把ESL的影响完全消除，只要ring的幅度能限制在一个范围内。
可能就简单的用个理想电源加内阻加总电感加本地电容的模型，按照电感电容的电压电流关系算个积分微分方程？
已经完全忘了该怎么解这种方程了。而且还不是方程，是不等式。