MOS管的衬底连接关系

IC2019

一般电路设计中，NMOS管的衬底是连接到gnd，还是源端？

xuwenwei

一般是接本电路结构中最低的那个电位，除非有特殊要求，可以接自己的源端（工艺支持），如果都接最低电位，由于衬偏，阈值会大。你这个问题太笼统了啊，你源端是gnd，那不就是一样了，如果你源端是-5，那你衬底也不能接gnd啊，所以一般都是接源端或比源端更低的电压

randolpha

nmos substrate : connect to gnd.

wkp1992101

一般的，这种接源端是为了减少衬偏效应。根据衬偏效应的公式知Vsb=0时无衬偏效应。所以当使用pmos做输入差分对时，sb短接可以有效减小衬偏效应。即pmos的衬底电压不为VCC（单独的Nwell），优于直接接VCC。而NMOS差分对做输入管时，情况有所不同。通常NMOS直接做在统一的P衬底上，没有独立的pwell，只能接GND。所以NMOS一般不存在sb短接的情况。

IC2019

xuwenwei 发表于 2021-10-27 10:46
一般是接本电路结构中最低的那个电位，除非有特殊要求，可以接自己的源端（工艺支持），如果都接最低电位， ...

我这没有负压，只有正压，所以gnd是最低电位，

IC2019

wkp1992101 发表于 2021-10-27 12:13
一般的，这种接源端是为了减少衬偏效应。根据衬偏效应的公式知Vsb=0时无衬偏效应。所以当使用pmos做输入差 ...

就是说, NMOS管必须有dnw隔离，才能VBS=0 ？

wkp1992101

IC2019 发表于 2021-10-27 17:43
就是说, NMOS管必须有dnw隔离，才能VBS=0 ？

不是的，作为输入对管，Source不能接gnd，衬底一定是接gnd的，vsb不等于0。  但是作为负载管，source可以接gnd，衬底也接gnd。vsb=0。

gongzhe1231

如果没用DNW工艺，那你实际制造出来的芯片衬底就是nmos的bulk，沉底是统一电位所以bulk只能接地。

CmosLgh

xuwenwei 发表于 2021-10-27 10:46
一般是接本电路结构中最低的那个电位，除非有特殊要求，可以接自己的源端（工艺支持），如果都接最低电位， ...

由于衬偏，阈值变大。

正确。

CmosLgh

wkp1992101 发表于 2021-10-27 12:13
一般的，这种接源端是为了减少衬偏效应。根据衬偏效应的公式知Vsb=0时无衬偏效应。所以当使用pmos做输入差 ...

当使用pmos做输入差分对时，sb短接可以有效减小衬偏效应。即pmos的衬底电压不为VCC（单独的Nwell），优于直接接VCC。

正确。

NMOS作差分对输入，要消除衬偏，就用深阱nwell。