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[求助] (已解决)求助华虹宏力110nmPDK中电感的漂移问题

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发表于 2021-10-5 00:19:20 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 hustjzr 于 2022-4-27 02:54 编辑

请教各位大佬,有人使用过华虹宏力110nm的PDK进行过VCO设计吗?
我设计了一款用于蓝牙的2.4G频段VCO,VCO core振荡频率为4.8G(因为接收机需要IQ两路本振,所以VCO core输出经过了CML二分频,电感值选择为1nH)
仿真的时候发现,PDK中提供的SYM电感,在不同corner下,电感值漂移达到了25%。以下是我仿真相同VCO控制字时,SS,TT,FF三种corner的VCO core振荡频率
image.png
VCO core的振荡频率偏差达到了1600M!我怀疑是PDK中电感在不同corner下一致性不好,将IND_SYM单独拉出来做SP仿真,发现果然在不同corner下,电感值存在±25%的偏移。例如1nH的电感,实际上考虑corner,实际电感值在750pH~1.2nH image.png
师兄说电感不会存在这么大的偏差,让我电感固定为TT corner。只考虑电阻,电容,MOS corner,发现VCO core振荡频率在不同corner时偏移较小,仅为600M(CML二分频后为300M).
我的问题是:
(1)华虹宏力110nm的PDK中提供的电感模型不准,还是本身该工艺对电感的一致性就不好?
(2)华虹宏力110nm提供衬底文件吗,可不可以通过EMX自己设计定制电感,来解决PDK中自带电感偏差大的问题?目前在PDK中没有衬底文件,向华虹宏力发邮件也没有回复
我同时在SMIC 40nm工艺下,设计的2.4G DCO,不同corner下,振荡频率就比较一致,频率波动<±200M

 楼主| 发表于 2021-10-5 00:20:30 | 显示全部楼层
VCO core的频率偏差为1.6G左右,二分频出来的频率偏差800M左右
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 楼主| 发表于 2021-10-7 00:29:44 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2022-4-27 02:56:19 | 显示全部楼层
本帖最后由 hustjzr 于 2022-4-27 02:57 编辑

华虹后续更新了PDK,有大更新,PDK中舍弃了之前的电感model,转用motemom实时抽取电感。之前是参考第一版本的PDK里面的衬底文件,自己写EMX衬底文件,然后定制电感,和原有PDK中电感的参数做比较,确认EMX建模的合理性。最后还是以华虹提供的新PDK为准。
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