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[求助] 咨询一下保护环可以相互接触不?

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发表于 2021-9-24 20:04:48 | 显示全部楼层 |阅读模式

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咨询下,如下图所示的vdd以及vss保护环的P掺杂和N掺杂相互靠近;

这样DRC并不会报错,但是感觉VDD与VSS距离这么近会不会有啥影响;
保护环.PNG
发表于 2021-9-24 23:43:07 | 显示全部楼层
小电流的话他应该没啥问题,大电流时可能会漏电或者latch up吧?学艺不精,蹲等大佬解释
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 楼主| 发表于 2021-9-25 15:50:17 | 显示全部楼层


   
zsen 发表于 2021-9-24 23:43
小电流的话他应该没啥问题,大电流时可能会漏电或者latch up吧?学艺不精,蹲等大佬解释 ...


那如果会漏电的话,这两个保护环的间距一般是多少的?
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发表于 2021-9-25 17:49:28 | 显示全部楼层
这个DRC上应该会有写吧,well到pick up AA会有space吧
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发表于 2021-9-26 09:08:43 | 显示全部楼层
DRC会有写的,在DRC的基础上再加点距离
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发表于 2021-9-26 09:59:38 | 显示全部楼层
没有啥影响,只要包这个ring的P管不是外接PAD的话,满足DRC距离就行了,如果是接IO的mos管,那就要考虑latch up的问题了,不过一般建议,没有必要把距离卡这么死,给自己留点余地,不然加点MOS管,你距离不够你还得挪
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发表于 2021-9-26 14:08:29 | 显示全部楼层
我个人觉得没有问题,满足工艺的情况下,证明工艺就是允许你这么做,
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 楼主| 发表于 2021-9-26 18:53:57 | 显示全部楼层


   
MrHlayout 发表于 2021-9-26 09:59
没有啥影响,只要包这个ring的P管不是外接PAD的话,满足DRC距离就行了,如果是接IO的mos管,那就要考虑latc ...


有道理,明白了;
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 楼主| 发表于 2021-9-26 18:55:02 | 显示全部楼层


   
cailiqin 发表于 2021-9-26 09:08
DRC会有写的,在DRC的基础上再加点距离


好的,知道啦;
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