你说 5A 应该dc-dcswitch current , 不太可能 ldo 的电流吧 . 小电路部分 你可用 zener or MOS vth 产生 pre_regulator电路 , 先降到 5vor 3v . 降到 3v后 , bandgap电路用低压去作 , 低压 mos offset会比高压 mos好很多 . 像 20~40vcmos 高压 mos offset >> 5v mos . 产生 pre_regulator 电路 , 给 bandgap, 再来是 内部ldo. 电流不大下 内部ldo 可作到. Bcd电路需 gateclamp 可用 zener 去 clamp. 但你的 0.18um bcd 应该是 1.8v 不能用 zener clamp . 高压端给 ldmos 去撑高压 . 要记得 ldmos s/b间都低压. 只 drain 耐高压. 若是 OPA类 就 ldpmos串 ldnmos..两个 mos drain 去耐高压 . 同样的 Avdd=28v 下 . 你 ldpmos vgs 要有 clamp 电路 . 你可作 28- 1.8v的 calmp电路 .
|