在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 2271|回复: 4

[求助] ESD CDM 防护原理求助?

[复制链接]
发表于 2021-9-13 19:59:58 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
“其中的 Mn2 组件即是用来箝制跨在输入级电路闸级上过高的电压。”

请教大神这句话怎么理解呀? #钳制电压的原理是什么?
image.png
发表于 2021-9-13 21:39:19 | 显示全部楼层
你这是哪本书?
发表于 2021-9-14 08:26:09 | 显示全部楼层
goooooooood
发表于 2021-9-14 09:05:44 | 显示全部楼层
这个应该是两级防护吧,就是针对过高的时候,第二级开启
发表于 2021-9-14 10:57:53 | 显示全部楼层
Ground-gated NMOS, Mn2, should be placed near NMOS,Mn. When negative CDM-ESD happens, the parasitic diode beneath psub-to-ndiff, drain of Mn2, will be forward-biased, then the ESD can be discharged thru this psub-to-ndiff path instead of gate-oxide breakdown from psub-to-gate of NMOS,Mn
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-18 16:40 , Processed in 0.019902 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表