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[求助] ESD CDM 防护原理求助?

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发表于 2021-9-13 19:59:58 | 显示全部楼层 |阅读模式

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“其中的 Mn2 组件即是用来箝制跨在输入级电路闸级上过高的电压。”

请教大神这句话怎么理解呀? #钳制电压的原理是什么?
image.png
发表于 2021-9-13 21:39:19 | 显示全部楼层
你这是哪本书?
发表于 2021-9-14 08:26:09 | 显示全部楼层
goooooooood
发表于 2021-9-14 09:05:44 | 显示全部楼层
这个应该是两级防护吧,就是针对过高的时候,第二级开启
发表于 2021-9-14 10:57:53 | 显示全部楼层
Ground-gated NMOS, Mn2, should be placed near NMOS,Mn. When negative CDM-ESD happens, the parasitic diode beneath psub-to-ndiff, drain of Mn2, will be forward-biased, then the ESD can be discharged thru this psub-to-ndiff path instead of gate-oxide breakdown from psub-to-gate of NMOS,Mn
发表于 2025-3-31 17:03:42 | 显示全部楼层
感谢分享
发表于 2025-5-28 22:04:04 | 显示全部楼层
本帖最后由 gcwen 于 2025-5-28 22:07 编辑

钳位的原理是低阻通道,Mn2在这里就是起到一个低阻通道的作用,防止Mn和Mp的gate承受过高电压而损伤gate。作为ggNMOS,Mn2可以承受正的或负的CDM脉冲冲击。
发表于 2025-5-29 11:54:41 | 显示全部楼层
首先这个是一个二级防护,通常二级防护是第一级作为主要的泄放通道,要求第一级防护的鲁棒性足够高。第二级防护用来与第一级防护配合以提高整体的防护效果,第二级防护的要求是能快速响应。面对较大的ESD事件的时候,一级防护的钳位电压可能过高,可能损坏内部那个反相器的栅极,额外再加一个防护将电压钳位在一个安全的范围。

通过二级防护的设计本来就是一个整体,一级和二级钳位器件是要相互配合的,两个钳位器件的Vt1, Ron,开启速度,It2什么的都是要相互配合的,来达到整体最佳的。设计上如此,所以你看的时候,分析的时候,不要只看第一级或者第二级,也要看到整体的防护机制。
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