5v nmos器件漏电流比较大疑问

silverpuma · 发表于 2021-9-6 10:02:35

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如图片所示，最小尺寸的5v的nmos偏置反向偏置在0.5v的电压下面，仿真出来漏电流竟然有6pA，这个结果可靠么？
另外dc参数里面的ibe，ide，ise是标识什么电流的？

hitzhabc · 发表于 2021-9-6 11:22:54

这个结果不对。我也因为这个问题折腾了好久。注意软件默认设置的gmin是相当于给管子并联了一个电阻。这个电阻已经严重影响仿真结果了。修改之后就对了。

silverpuma · 发表于 2021-9-6 15:41:34

hitzhabc 发表于 2021-9-6 11:22
这个结果不对。我也因为这个问题折腾了好久。注意软件默认设置的gmin是相当于给管子并联了一个电阻。这个电 ...

高人，gmin的默认是1e-12，要改成什么值才合理？

hitzhabc · 发表于 2021-9-6 15:47:36

silverpuma 发表于 2021-9-6 15:41
高人，gmin的默认是1e-12，要改成什么值才合理？

看你自己有啥要求呗，比如你可以忽略fA以下的电流，那就改成-15。这是个数学问题，不然你就把器件尺寸加大，大到足够忽略这个电流，再除以尺寸，也一样。

silverpuma · 发表于 2021-9-6 16:51:02

hitzhabc 发表于 2021-9-6 15:47
看你自己有啥要求呗，比如你可以忽略fA以下的电流，那就改成-15。这是个数学问题，不然你就把器件尺寸加 ...

的确是这么回事，调整这个gmin参数，电流变小很多了，非常感谢。这样的话，那就是说这个gmin导致的电流实际上并不存在的，只是仿真软件设置导致的？芯片流出出来也看不到了？

我现在要做超低功耗的芯片，需要仔细评估器件的漏电流。

hitzhabc · 发表于 2021-9-6 17:18:25

silverpuma 发表于 2021-9-6 16:51
的确是这么回事，调整这个gmin参数，电流变小很多了，非常感谢。这样的话，那就是说这个gmin导致的电流实 ...

是这样的。实际上，你应该关注的是代工厂给的model是否有考虑那么小的漏电流，看下工艺参数是否有给出不同尺寸的器件的漏电流到底多大。

hdphoenix · 发表于 2021-9-6 17:21:46

高手你好

silverpuma · 发表于 2021-9-6 17:28:47

hitzhabc 发表于 2021-9-6 17:18
是这样的。实际上，你应该关注的是代工厂给的model是否有考虑那么小的漏电流，看下工艺参数是否有给出不 ...

嗯，我正在看工艺厂的漏电数据。我现在可以通过调整gmin把算法导致的漏电流给屏蔽掉，那我器件自身的Ids漏电是和什么相关的？因为我vds才0.5V，而器件本身都是5V的，这个又和model或者软件哪个参数相关呢？理论上不应该出现这么大的漏电流啊

hitzhabc · 发表于 2021-9-6 17:50:38

silverpuma 发表于 2021-9-6 17:28
嗯，我正在看工艺厂的漏电数据。我现在可以通过调整gmin把算法导致的漏电流给屏蔽掉，那我器件自身的Ids ...

沟道长度和源漏区面积。源漏区面积是反偏PN结漏电，沟道长度是沟道漏电。你可以仿真发现随着沟道长度增加，漏电流急剧下降，降低到一定程度就不怎么变化了。

silverpuma · 发表于 2021-9-7 08:47:39

hitzhabc 发表于 2021-9-6 17:50
沟道长度和源漏区面积。源漏区面积是反偏PN结漏电，沟道长度是沟道漏电。你可以仿真发现随着沟道长度增加 ...

真是高人，几句话就把我的疑问点破了，解释非常到位，非常感谢啊！

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