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[讨论] dual-rail Mem的使用??

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发表于 2021-8-30 10:54:04 | 显示全部楼层 |阅读模式

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VDDC是bitcell电压,VDD是logic电源;那么dual-rail mem的低功耗,是在给VDD降压?还是给VDDC降压?
发表于 2021-8-31 10:56:30 | 显示全部楼层
有dual-rail SRAM相关的paper可以参考,一般情况下,VDDC高于VDD,以确保sram cell读写工作时的SNM。两个电压都可以调,依赖于芯片的低功耗设计方案;
 楼主| 发表于 2021-8-31 23:23:47 | 显示全部楼层
本帖最后由 yic2000 于 2021-9-1 00:17 编辑


hzhou 发表于 2021-8-31 10:56
有dual-rail SRAM相关的paper可以参考,一般情况下,VDDC高于VDD,以确保sram cell读写工作时的SNM。两个电 ...

因为我遇到的都是高频需求;所以,按照我的理解logic一般都是ULVT,降他可以减少leakage;然后bitcell一般不是频率的瓶颈,其实我可以降VDDC减少动态功耗?因为,如果考虑频率的强需求,这里也不存在需要bit cell的Vmin有强烈需求?
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