在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 2938|回复: 2

[讨论] dual-rail Mem的使用??

[复制链接]
发表于 2021-8-30 10:54:04 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
VDDC是bitcell电压,VDD是logic电源;那么dual-rail mem的低功耗,是在给VDD降压?还是给VDDC降压?
发表于 2021-8-31 10:56:30 | 显示全部楼层
有dual-rail SRAM相关的paper可以参考,一般情况下,VDDC高于VDD,以确保sram cell读写工作时的SNM。两个电压都可以调,依赖于芯片的低功耗设计方案;
 楼主| 发表于 2021-8-31 23:23:47 | 显示全部楼层
本帖最后由 yic2000 于 2021-9-1 00:17 编辑


hzhou 发表于 2021-8-31 10:56
有dual-rail SRAM相关的paper可以参考,一般情况下,VDDC高于VDD,以确保sram cell读写工作时的SNM。两个电 ...

因为我遇到的都是高频需求;所以,按照我的理解logic一般都是ULVT,降他可以减少leakage;然后bitcell一般不是频率的瓶颈,其实我可以降VDDC减少动态功耗?因为,如果考虑频率的强需求,这里也不存在需要bit cell的Vmin有强烈需求?
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-22 21:03 , Processed in 0.015413 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表