衬偏造成的失调

此系封

在有衬偏的时候，失调会更大一些。但是具体有什么参数量化这个指标吗？

wmzdtc

Subthreshold hump effect, BSIM4无法model，需要BSIM-BULK或者新版本的PSP

此系封

   

wmzdtc 发表于 2021-8-26 13:56
Subthreshold hump effect, BSIM4无法model，需要BSIM-BULK或者新版本的PSP

您好，谢谢您的回复！BSIM4无法model的意思是不能仿真出来失调随着衬底偏置效应的影响还是描述失调随着衬偏变化的这个参数无法model呢？谢谢！

wmzdtc

   

此系封 发表于 2021-8-30 16:41
您好，谢谢您的回复！BSIM4无法model的意思是不能仿真出来失调随着衬底偏置效应的影响还是描述失调随着衬 ...

如果你的问题是由于这个hump effect导致的化，那BSIM4这个参数无法model，可以强行fit，但会导致其他点的不准确，比如在strong inversion的时候mismatch比实际差，又或者gm/id出现奇怪的曲线之类。

此系封

   

wmzdtc 发表于 2021-9-1 08:33
如果你的问题是由于这个hump effect导致的化，那BSIM4这个参数无法model，可以强行fit，但会导致其他点的 ...

好的  明白了   谢谢
也就是说只能靠仿真来弄了，手算的话基本搞不定

wmzdtc

   

此系封 发表于 2021-9-1 10:07
好的  明白了   谢谢
也就是说只能靠仿真来弄了，手算的话基本搞不定

如果是由这个原因导致的，那在BSIM4 model的前提下，可以靠仿真搞定的概率几乎没有，只能靠silicon。。。所以最好先搞明白是不是这个原因导致的，通常不工作在weak inversion是不会看到这个现象的，PMOS也看不到；然后看看是不是用的BSIM4。

此系封

   

wmzdtc 发表于 2021-9-1 10:31
如果是由这个原因导致的，那在BSIM4 model的前提下，可以靠仿真搞定的概率几乎没有，只能靠silicon。。。 ...

您好，谢谢您的回复！我目前是在仿真的时候看到MC的结果在有没有BODY EFFECT的时候会有一点差异，另外就是在sansen的书上看到过有body EFFECT的时候失调会变大的说法。 然后您说的BSIM4这个想请教一下怎么看FAB给的MODEL是BSIM4还是BSIM6的呢？谢谢您！

wmzdtc

   

此系封 发表于 2021-9-1 13:33
您好，谢谢您的回复！我目前是在仿真的时候看到MC的结果在有没有BODY EFFECT的时候会有一点差异，另外就 ...

那大概率不是这个原因，sansen那个年代还没有发现这个效应。。。用什么model要看foundry的文件，一般都会有一个关于model的文档。BSIM-BULK应该还没有被大规模采用，而PSP一般都是自家有工艺的模拟厂商用，尤其在涉及RF和高压的时候。一般来说，只要不是16nm以下或者SOI，foundry用的都是BSIM4。所谓的hump effect也并不是各大foundry发现的，而是ST，TI，NXP，Renesas这些自己有fab的IDM先发现的。

此系封

   

wmzdtc 发表于 2021-9-1 15:39
那大概率不是这个原因，sansen那个年代还没有发现这个效应。。。用什么model要看foundry的文件，一般都会 ...

厉害！明白了  谢谢科普！我现在用的tsmc的0.18工艺  送哦一应该是BSIM4的model