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楼主 |
发表于 2021-8-16 15:17:11
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多谢。目的是量产,不是随便玩玩的。用的工艺确实不好,希望DNL<+/-1LSB, INL<+/-2LSB, 能够做到这个spec,gain error and offset 我可以在系统上去cancel掉。面积也是关心的,0.18um的工艺下 <0.1mm^2 应该是必须的。
你提到的论文,我看了下,结构是全差分的,DAC是用RC混合来做的,MSB用电容,LSB用电阻,而且电容是poly-ploy的。结构上面我看蛮简单的。
对于我的产品来说,单端输入可能比较好,否则使用差分的结构,我还需要在做一个单端转差分的放大器,全差分放大器还需要做到14bits以上。
DAC阵列我觉得用RC可能比较好,如论文中的结构,MSB用电容LSB用电阻。对于电容的想法,是否可以用MOM电容?相比于MIM电容还是少一层MASK的。
比较器,别的项目中使用的是pre-amp + latch with offset cancellation。是不是需要关注一下比较器这边 noise?
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