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[求助] 关于不同电压P WELL的疑问

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发表于 2021-8-13 11:00:28 | 显示全部楼层 |阅读模式

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                               为什么PWELL 还分不同电压,layout中没有PW层,PW_IO和PW_CORE都是通过运算生成的,那在JDV检查时如何能保证PW_IO和PW_CORE这两层分别在各自正确的位置上。这个工艺怎么这么怪异,PWELL为什么还分不同电压,有哪位大神知道原因吗?谢谢!
111111.png
发表于 2021-8-13 12:00:10 | 显示全部楼层
这个不是指PW分电压,只是根据PWELL里器件命名成这样。看你这个工艺高压是5V,所有有对应的高压5V N阱、高压5v P阱、低压1.8v N阱、低压1.8v P阱。PW_IO与PW_core是工艺制造中对应的两道工序处理的mask,打 implant 时能量不一样。虽然PW都是0电位,但是最后的形成的是两个掺杂浓度不一样的PW,以支持高压device和低压device。
至于JDV检查,你就看它PW_IO和PW_core的逻辑运算公式,一般简单都是(psub NOT NW) AND DG(厚栅识别层)这样,主要就是厚栅管所处的P阱就是PW_IO,剩下的就是PW_core了。
发表于 2021-8-19 21:52:09 | 显示全部楼层


cherry_li 发表于 2021-8-13 12:00
这个不是指PW分电压,只是根据PWELL里器件命名成这样。看你这个工艺高压是5V,所有有对应的高压5V N阱、高 ...


学到了,谢谢
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