请教一下各位工艺角中mc_lib mismatch_lib mc_mismatch_lib之间有什么不同呢

LDC0226 · 发表于 2021-7-14 23:08:39

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

小弟在蒙卡仿真比较器输入失调电压时想到这个问题，想要理解一下这三个工艺角之间的不同。
另外仿真比较器offset时应该使用哪一个工艺角呢

quantus · 发表于 2021-7-15 03:26:22

第一个mc描述的是晶圆上不同位置的器件的参数的分布, 比如掺杂.
第二个mismatch描述的两个不同位置上的器件尺寸上的差异, 与位置无关
第三个就是第一个第二个的综合体, offset要选这一个, 因为offset可以源自工艺偏差, 也可以来自尺寸的失配

LDC0226 · 发表于 2021-7-15 14:21:56

quantus 发表于 2021-7-15 03:26
第一个mc描述的是晶圆上不同位置的器件的参数的分布, 比如掺杂.
第二个mismatch描述的两个不同位置上的器件 ...

哦哦哦我明白了，谢谢您

dannyduan · 发表于 2021-7-15 19:13:23

quantus 发表于 2021-7-15 03:26
第一个mc描述的是晶圆上不同位置的器件的参数的分布, 比如掺杂.
第二个mismatch描述的两个不同位置上的器件 ...

如果只有前面两个lib，仿真的结果如何处理能和第三个lib的结果相近？

quantus · 发表于 2021-7-15 19:36:09

dannyduan 发表于 2021-7-15 19:13
如果只有前面两个lib，仿真的结果如何处理能和第三个lib的结果相近？

只有前两个的你要考虑你的电路看重什么。如果是简单的比较器offset，在保证版图面积很小,关键器距离很近, 且采用插指之类技巧以后，那么用mismatch就可以了。说到底还是看你对mc和mismatch的理解有没有到位, 对产生失配的原因有没有理解明白, 到位了就知道那些重要了. 希望对你有帮助.

dannyduan · 发表于 2021-7-16 09:25:58

quantus 发表于 2021-7-15 19:36
只有前两个的你要考虑你的电路看重什么。如果是简单的比较器offset，在保证版图面积很小,关键器距离很 ...

这种比较器的输入对管，肯定mismatch看看就差不多了。
这种情况下怎么处理，比如一个V2I 电流到另一个模块再转成V之后，肯定要考虑mc和mismatch了，你是把MC仿真结果平方和开根号？

红红的西瓜 · 发表于 2021-12-5 21:22:18

同问，如果要仿真对象面积较大，比如大的电阻整列，是不是要同时跑mc和mismatch？如果只有单独的mc_lib和mismatch_lib，那么如何结合两者呢？

[讨论] 请教一下各位工艺角中mc_lib mismatch_lib mc_mismatch_lib之间有什么不同呢