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查看: 2006|回复: 8

[求助] 请问添加decapcell怎么选取驱动能力和vt较好?

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发表于 2021-7-12 14:22:34 | 显示全部楼层 |阅读模式

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如题
发表于 2021-7-12 15:30:30 | 显示全部楼层
第一,为什么会有这个问题?是遇到什么issue了吗?
第二,一般加decap filler,一般先加很大的,再加小的,至于vt,你目前的design中flow上是有哪些VT?
发表于 2021-7-12 18:29:55 | 显示全部楼层
首先可以先统计下 现有lib库里的decap的面积和电容值的总结 根据具体的design面积来加decap,尽量避免加太多ULVT的decap,leakage power比较大
发表于 2021-7-13 09:58:52 | 显示全部楼层


jimmyliuquan 发表于 2021-7-12 18:29
首先可以先统计下 现有lib库里的decap的面积和电容值的总结 根据具体的design面积来加decap,尽量避免加太 ...


您好前辈,想请教下 根据具体的design面积来加decap,这个可以具体解释下吗?不太懂
另外,我的理解,现在应该很多decap都是等同于spare cell,应该是各种驱动的cell,各种类型的cell(除ULVT)都洒上,对吗?
发表于 2021-7-13 10:51:47 | 显示全部楼层


xingyun666666 发表于 2021-7-13 09:58
您好前辈,想请教下 根据具体的design面积来加decap,这个可以具体解释下吗?不太懂
另外,我的理解,现 ...


我就说说我的陋解,首先你的design floorplan是一定的,你这个时候 place都是做完的 logical stdcells都是摆好的,这个时候 要考虑decap数目和decap占多少面积了
数目太多 可能面积占的太大 数目太少 芯片on-die的deccap不够 对于dynamic IR和SIPI都是不利的。所以这个时候 就是做一些trial case都考虑 然后找到一个最佳方案。
发表于 2021-7-13 11:53:27 | 显示全部楼层


jimmyliuquan 发表于 2021-7-13 10:51
我就说说我的陋解,首先你的design floorplan是一定的,你这个时候 place都是做完的 logical stdcells都 ...


前辈,我的理解:
在哪个阶段加spare cell?
第一,如果在place之后,cts之前加,那这些decap filler cell将占据很多好的位置(本来这些位置可以在优化时插buf,或者size up cell),对timing是有影响的
第二,如果在最后阶段加decap filler.那能加到的位置又有限,对以后对metal eco不太友好,很可能附近找不到合适的decap cell去做metal eco
您在什么阶段加?decap数目和decap占多少面积,try很多次?先给一个比率,比如占总std cell数目的3%?这个感觉要自己抓下统计下cell的数量比例
发表于 2024-3-4 11:13:57 | 显示全部楼层


jimmyliuquan 发表于 2021-7-12 18:29
首先可以先统计下 现有lib库里的decap的面积和电容值的总结 根据具体的design面积来加decap,尽量避免加太 ...


请教下decap的数量对整个电路的leakage有影响吗
发表于 2024-3-5 15:59:58 | 显示全部楼层


1064170361 发表于 2024-3-4 11:13
请教下decap的数量对整个电路的leakage有影响吗


我做的反正没有来控制过 decap数量的 感觉leakage很小
发表于 2024-3-19 15:59:30 | 显示全部楼层
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