nmos的WPE效应里的阱距是指哪里到哪里？

M_ingli · 发表于 2021-7-8 21:41:47

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各位大佬，本人最近在看nmos器件里的LOD和WPE效应，其中WPE效应里，pmos知道是沟道到nwell边缘的距离的影响，但是nmos呢？nmos没有pwell，那么nmos的sca、scb、scc是和什么有关的呢？这个时候sc指的是哪里到哪里呢?
仿真发现改变nmos周边的pplus、nwell到nmos沟道的距离以及nmos自己本身的nplus大小都会影响sca、scb、scc的值，但是找不到其中的规律，还是不知道nmos的WPE效应由什么来决定的。。求问。

方块forever · 发表于 2021-7-9 01:00:59

我做设计的时候看的是管子的gate到well的距离，不知道别人是怎么理解的。这个问题看上去还挺复杂。

andyfan · 发表于 2021-7-9 09:15:53

PWELL是有MASK的，只是版图不画，后期到FAB通过逻辑运算产生出来。

去查看LVS文件，抽取的里面会有写，是如何定义PWELL的，每家的算法不太一样。

M_ingli · 发表于 2021-7-9 14:18:58

andyfan 发表于 2021-7-9 09:15
PWELL是有MASK的，只是版图不画，后期到FAB通过逻辑运算产生出来。

去查看LVS文件，抽取的里面会有写，是 ...

原来如此，学到了！非常感谢大佬！我去看看！

M_ingli · 发表于 2021-7-9 14:22:59

方块forever 发表于 2021-7-9 01:00
我做设计的时候看的是管子的gate到well的距离，不知道别人是怎么理解的。这个问题看上去还挺复杂。 ...

我pmos就是这么想的，gate到nwell，但是nmos就orz

acging · 发表于 2021-7-9 15:00:27

除了到well的距离外，有的工艺会计算gate到有源区的距离，距离太近会有wpe，所以加dummy就好很多。
一般工艺design rule都会交代wpe怎么计算的。

M_ingli · 发表于 2021-7-14 18:32:55

andyfan 发表于 2021-7-9 09:15
PWELL是有MASK的，只是版图不画，后期到FAB通过逻辑运算产生出来。

去查看LVS文件，抽取的里面会有写，是 ...

大佬，能给讲讲这个Pwell大概和什么层次相关嘛？我看了一下抽取的cmd文件里面，写了一句话，pwell = （BULK NOT NW）NOT RING，没看太懂
图片.png

然后对应看SVRF文件，也没找到pwell的定义，希望大神能解答一下，谢谢

M_ingli · 发表于 2021-7-14 18:36:26

acging 发表于 2021-7-9 15:00
除了到well的距离外，有的工艺会计算gate到有源区的距离，距离太近会有wpe，所以加dummy就好很多。
一般工 ...

这样嘛，设计手册里面我看到有计算SCA的公式，但是nmos的话，公式里面的SC、SC1就不知道怎么对应了。一开始想着说是把nmos的wpe效应大概趋势找出来的，现在已经懵掉了

andyfan · 发表于 2021-7-14 21:55:05

M_ingli 发表于 2021-7-14 18:32
大佬，能给讲讲这个Pwell大概和什么层次相关嘛？我看了一下抽取的cmd文件里面，写了一句话，pwell = （BU ...

层的定义在一个文件里面，或者在LVS里面，不是SVRF里面，是每家FAB自己定义的

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