TCAD 仿真FinFET有些问题想请教各位

rangerpcx · 发表于 2021-7-4 22:27:31

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用Sentaurus仿了一个Lg=20nm FinFET器件，仿击穿特性的时候发现，BVds居然有5V以上。用的方法是GettingStart里面，bvextraction工程里的poisson法。Vd加到5V，电离积分才到1，击穿电压异常的大。
还有一个问题是，器件不加电压的情况下（初始化状态），内部的电场强度就达到了1e6 V/cm。已经超过了书上给出的通常的临界击穿电场2e5 V/cm。这是为什么呢？
希望大佬能解答一下，另外能不能提供一个简单的仿真模型给我参考一下，

stevenzhang2020 · 发表于 2021-11-20 15:36:36

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jcwen · 发表于 2023-5-6 19:43:26

有小懒木的课程吗？

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