三星宣佈3nm晶片成功下線

peterlin2010

三星宣佈3nm晶片成功下線
TECHBANG

三星宣佈他們的3nm製程技術已經正式下線（Tape-out）。據介紹，三星的3nm製程採用的是GAA架構，性能優於台積電的3nm FinFET架構。

三星在3nm製程的下線進度是與新思科技（Synopsys）合作完成的，目的在於加速為GAA架構的生產流程提供高度優化的參考方法。因為三星的3nm製程採用不同於台積電或英特爾採用的FinFET的架構，而是採用GAA的結構。因此，三星採用了新思科技的Fusion Design Platform。
在技術性能上，GAA架構的晶體管能夠提供比FinFET更好的靜電特性，可滿足某些柵極寬度的需求。而這主要表現在同等尺寸結構下，GAA的溝道控制能力得以強化，借此給予尺寸進一步微縮提供了可能性。

三星代工設計技術團隊副總裁 Sangyun Kim 表示，三星電子最新且先進的 3nm GAA 製程技術，受惠於與新思科技合作，Fusion Design Platform 加速準備，有效達成 3nm製程技術承諾，證明關鍵聯盟的重要性和優點