带隙基准

ycjack · 发表于 2021-6-25 11:09:05

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小弟做了两个1V的基准，采用上图经典的结构和后面那种1.2V分压结构，Corner仿真发现上下浮动约62mV和55mV，请问如何能做到像图中的指标那样做到20mV以内呢？曲率补偿？trim？

ycjack · 发表于 2021-6-25 11:17:51

典型工艺角下ppm=8。工艺角波动这么大是我选择BJT和电阻不恰当吗？

spartan313 · 发表于 2021-6-25 11:39:07

ycjack 发表于 2021-6-25 11:17
典型工艺角下ppm=8。工艺角波动这么大是我选择BJT和电阻不恰当吗？

逐步debug, 先换成理想的电阻，看看ppm

demonhunter · 发表于 2021-6-25 12:48:35

可以关注一下vbe在Corner下的差异。

ycjack · 发表于 2021-6-26 13:28:47

geo24 发表于 2021-6-25 11:39
逐步debug, 先换成理想的电阻，看看ppm

换成理想电阻典型工艺角下ppm几乎没变，但是全工艺角下的变化确实减小了一半。电阻我选的是high ohmic N-doped POLY1 resistor (nonsalicided), 2 terminals，选电阻的要点是什么呢？感谢！

ycjack · 发表于 2021-6-26 13:34:43

本帖最后由 ycjack 于 2021-6-26 13:37 编辑

demonhunter 发表于 2021-6-25 12:48
可以关注一下vbe在Corner下的差异。

同一温度下，不同Corner下VBE变化约为△=30mV，那就是说Vref的绝对精度在不同Corner下一定会偏移（R/R1）*30mV吗？

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