请教关于gm/Id的取值问题及现在求取宽长比的通用方法

gjy1095481875 · 发表于 2021-6-17 19:05:14

请教大佬，gm/id的取值和L的选择怎么取，还有请问各位现在您是怎么取宽长比及电容及电阻的一些参数的方法，该走什么样步骤，还望不吝赐教。

quantus · 发表于 2021-6-17 19:05:15

你这个问题边界条件给的太宽了, 不太好谈. 一般gm/id数值代表管子所在的反型区, 数字越大管子速度越慢, 本征增益越大. 然后同样的gm/id L越大fT越小, 但是本征增益越大. 拿到工艺库以后可以跑一个下面这样的图看看工艺的性能.

然后就可以根据增益和带宽要求选管子的L和gm/id了.
书和教程我看了不少, 真正有帮助的就是boris murmann的 systematic design of analog cmos circuits. 这个书基本是保姆式的. 希望能帮到你

gjy1095481875 · 发表于 2021-6-18 17:39:06

quantus 发表于 2021-6-17 19:05
你这个问题边界条件给的太宽了, 不太好谈. 一般gm/id数值代表管子所在的反型区, 数字越大管子速度越慢, 本 ...

感谢

自由落体的虹 · 发表于 2022-9-13 15:05:26

quantus 发表于 2021-6-17 19:05
你这个问题边界条件给的太宽了, 不太好谈. 一般gm/id数值代表管子所在的反型区, 数字越大管子速度越慢, 本 ...

最近在看这本书，还是没看懂怎么生成查找表和怎么用，大佬能讲讲吗？感谢！

何难 · 发表于 2024-1-24 17:36:52

自由落体的虹发表于 2022-9-13 15:05
最近在看这本书，还是没看懂怎么生成查找表和怎么用，大佬能讲讲吗？感谢！
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可以去看看一位**老师（Eric Yeh）的视频教程，讲得很清楚怎么生成查找表图

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