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[原创] PVT仿真

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发表于 2021-6-15 17:07:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

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电阻的随温度变化比较大,随corner变化也大吗?MOS管corner变化大吗
发表于 2021-6-15 17:36:43 | 显示全部楼层
问这种问题没意义,工艺角偏差的影响是电路设计决定的
发表于 2021-6-15 17:53:09 | 显示全部楼层
挺大的,随corner电阻会偏20%左右
 楼主| 发表于 2021-6-15 17:55:16 | 显示全部楼层
不是有没有意义,是我要用电阻分压还是MOS管二极管接法分压的问题,哪个工艺偏差更大
发表于 2021-6-15 19:01:25 | 显示全部楼层


IC2019 发表于 2021-6-15 17:55
不是有没有意义,是我要用电阻分压还是MOS管二极管接法分压的问题,哪个工艺偏差更大 ...


要不要仿真一下看看哪种更好?
发表于 2021-6-16 08:52:26 | 显示全部楼层


IC2019 发表于 2021-6-15 17:55
不是有没有意义,是我要用电阻分压还是MOS管二极管接法分压的问题,哪个工艺偏差更大 ...


要是分压的话,只要device类型都是一样的就可以了。PVT怎么变化都没有关系的,都是同时增大或减小,并不太影响你的分压结果。

发表于 2021-6-28 14:03:41 | 显示全部楼层
分散性都很大。建议用纯bipolar,比MOS好多了。
发表于 2021-7-12 16:53:41 | 显示全部楼层
还是带入到具体电路中才能评估影响
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