交叉耦合负载提高运放增益求助

wuhanhan8

如下图经典的交叉耦合负载结构，以提供运放增益，下面的交叉耦合对与两侧的diode形成的负载大小的确为1/(gm2-gm3)，即使理想情况下为正无穷，但是还应该并联上差分对的ro_M1啊，所以Av=gm1*（  ro1  //   1/（gm2-gm3）） =   gm1ro1 ，怎么ro1没了？增益变成无穷大了。。。。？

染纱

你好，下面的交叉耦合的阻抗1/(gm2-gm3)是怎么计算得到的？我刚刚计算了一下，不知哪里出错了，烦请帮忙看下
http://bbs.eetop.cn/thread-905167-1-1.html

wuhanhan8

   

染纱 发表于 2021-6-1 17:47
你好，下面的交叉耦合的阻抗1/(gm2-gm3)是怎么计算得到的？我刚刚计算了一下，不知哪里出错了，烦请帮忙看 ...

严格算出来我的结果和你是一样的，-1/gm是做了简化的，把右边那个mos的增益视为-1，就简化成下图： 用这个小信号算，算出来是Rout=1/（1/ro-gm） 约等于 -1/gm

老尤皮

确实要考虑ro1，没写上是把ro1近似无穷就忽略了

染纱

   

wuhanhan8 发表于 2021-6-1 18:00
严格算出来我的结果和你是一样的，-1/gm是做了简化的，把右边那个mos的增益视为-1，就简化成下图：用这个 ...

好的，那我们现在看到的书上的结论-1/gm，都是默认另一侧的MOS的本征增益gm*ro=1得到的是吧？

tsod

1/(gm2-gm3)，怎么得来的？你去算过吗？这里面有ro吗？

wuhanhan8

   

染纱 发表于 2021-6-1 19:33
好的，那我们现在看到的书上的结论-1/gm，都是默认另一侧的MOS的本征增益gm*ro=1得到的是吧？ ...

对的

wuhanhan8

   

tsod 发表于 2021-6-1 20:52
1/(gm2-gm3)，怎么得来的？你去算过吗？这里面有ro吗？

一个diode的等效电阻为1/gm2，交叉耦合等效电阻为-1/gm3，两个电阻并联后得出负载等效电阻是1/(gm2-gm3)

染纱

   

wuhanhan8 发表于 2021-6-3 14:36
对的

这么理解好像是有问题的，我现在还没完全弄明白，你可以看下我的帖子重新算了下。

biholiday

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