源漏共用问题

banakkk

理解不了源漏共用之后只剩下od的原因？
1.od有电位的吗
2.如果两端的od都打contact m1 ，然后用m1接在一起表示源漏共用 则可以理解
但直接od合并，就代表源漏合并，这个点应该怎么理解？
3.od有电位的话，是不是整一片od的电位都是一样的？

annyzer

1、有电位
2、源漏共用指的是MOS源漏，M1只是在源漏共用以后还要接别的节点时作为一根引线通过contact接出来的，如果源漏不接别的节点，则不需要再打contact接到M1
3、理论上来讲，相同结构、相同连接关系的管子源漏共用以后od电位是一样的。但实际制造中会有失配，通常出于可靠性的考虑会在这些“相同电位”的od节点上再用金属短接一下，此时需要通过contact接到M1，因为不建议使用od作为布线资源。

banakkk

annyzer 发表于 2021-5-25 21:12
1、有电位
2、源漏共用指的是MOS源漏，M1只是在源漏共用以后还要接别的节点时作为一根引线通过contact接出 ...

学到了 感谢感谢
还有一个问题是我一直不理解od是用来干嘛的 比如说np注入就可以使衬底有电位 ，od电位一样的话跟源漏的电位是一样的吗 源漏在做的时候具体是怎样的过程

annyzer

OD即 gate Oxide and Diffusion，是用来定义薄氧化层区域的层。有OD的地方contact才能接触到MOS管D/S/B三端，OD以外的地方是厚氧化层，或者叫STI区域，此时的contact只能打到poly。可以参考拉扎维 模拟CMOS集成电路设计 的图2.28或许可以帮助你理解MOS结构与版图的关系。

存在感

banakkk 发表于 2021-5-26 08:39
学到了 感谢感谢
还有一个问题是我一直不理解od是用来干嘛的 比如说np注入就可以使衬底有电位 ，od电位一 ...

建议大兄弟 学习一下物理器件的结构方面相关的知识，还有制造过程的了解。

banakkk

存在感 发表于 2021-5-26 11:30
建议大兄弟 学习一下物理器件的结构方面相关的知识，还有制造过程的了解。 ...

好滴感谢感谢

banakkk

annyzer 发表于 2021-5-26 09:19
OD即 gate Oxide and Diffusion，是用来定义薄氧化层区域的层。有OD的地方contact才能接触到MOS管D/S/B三端 ...