EPFL模拟IC参考书-基于EKV模型和gm/Id设计流程

marryandwitch · 发表于 2021-5-24 15:46:01

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

×

作为EKV模型的发明地，EPFL的模拟IC设计教学是不同于经典模拟IC教材拉扎维和Sasen的.对于大家熟知的模拟IC三大圣经，更多的是对模拟IC中的基本模块和经典电路进行大信号，小信号，噪声等的分析，都是在经典电路的基础上做的分析。但是我们在实际的电路设计过程中，我们的出发点应该都是要从最基本的器件本身入手，而对于大家最常使用的电流平方律关系来说，他并不能描述MOS管处于亚阈值区的工作状态，也不能给器件在全工作区域作出一个归一化的描述，在经典教材中也并没有对如何确定各个管子的宽长作详细的设计指导，这对于模拟电路工程师来说是有着巨大的影响的。EKV经典模型基于器件本身，从电荷和电流的角度重新定义了器件的工作区域，并且给出了一个普适的，归一的在全工作区域都成立的器件模型，成功统一了器件在弱反型，强反型区的器件特性。基于这个经典模型的基础上，进一步使用gm/Id的设计流程将电路的增益，输出电阻，噪声，匹配，带宽等工作指标与器件本身的尺寸，宽，长一一结合，给出了一个完整的从器件模型到电路指标的全设计流程。
书中以一级运放作为实例，以gm/Id设计流程作为指导，详细地阐述了如何对于不同的电路指标要求确定具体的器件尺寸，对于只学习过拉扎维或者Sasen的同学来说，在实际模拟电路的设计过程中，根据不同电路特性确定管子尺寸永远是最核心的问题，如果能够结合这本教材和模拟三大圣经，掌握现代模拟电路设计的新的gm/Id设计流程的话，对于各位的提升应该是有巨大的帮助的。