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查看: 1785|回复: 4

[讨论] 为什么说 HVT cell 工艺偏差比较大?

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发表于 2021-5-22 22:38:13 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 wenfangsibao 于 2021-5-22 22:42 编辑

HVT cell 在制程上和 SVT/LVT cell 的区别是什么,为什么说 HVT cell 工艺偏差比较大?
为什么 clock tree 上必须只有一种 VT cell ?

原文是这样说的:
“用来build clock tree的clock inverter 必须使用LVT或者SVT,而且必须保证clock tree上只有一种VT。HVT cell禁止使用在clock tree上,因为工艺偏差较大,导致signoff的timing和实测严重不match,甚至导致功能错误。”
发表于 2021-5-24 09:05:51 | 显示全部楼层
离子注入那一步mask用的不一样,通过控制si不同区域的掺杂浓度来控制Vt类型,剩下的就不懂了,期待大神回答
发表于 2021-5-26 22:41:29 | 显示全部楼层
后端视角来说应该还是速度和功耗平衡的问题, 不同vt 在不同corner 特性漂的情况是不一样的,所以要统一同一种vt,平面工艺通过调implant 来调整vt,finfet 主要调整金属栅的功函数来调节vt
发表于 2021-5-27 10:24:20 | 显示全部楼层


bmgshen 发表于 2021-5-26 22:41
后端视角来说应该还是速度和功耗平衡的问题, 不同vt 在不同corner 特性漂的情况是不一样的,所以要统一同 ...


您好,按照前辈说的,是不是可以理解成:假如在ss corner下,launch clock path上有cellA :20ps,cellB 30ps,capture clock path上有cellC :20ps,cellD 30ps;在ff corner下,每个cell delay都会变小,若是同一个VT,launch path和capture path上的cell的特性漂的趋势是一样的?也就是cell delay变化的趋势是一样的,这样做减法得到clock skew值,skew变化不会很大?
相反,若是不同vt,ff corner时,Hvt cell往一个方向偏,lvt往另一个方向偏,这样做减法后skew会变大
ps:另外,说的这个特性漂,具体指的是什么,很抽象,可以解释下吗?
发表于 2021-5-27 22:43:47 | 显示全部楼层
可以用工具报一下timing ,仔细观察一下就可以发现HVT 的cell 在不同corner 下的delay 差距特别大,这样会使setup 和hold 变得很困难。DELAY cell 的HVT 特别明显
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