求问各位大佬,在防止latch-up的方法中怎么理解避免source跟drain的正向偏压？

sming薇

求问各位大佬,在防止latch-up的方法中怎么理解避免source跟drain的正向偏压？

musclerush

能发全文不，发这么点理解不来啊？或许是热载流子效应的角度？

sming薇

百度里防止闩锁效应的方法中的第二条怎么理解。
防止Latch up 的方法
1.在基体（substrate)上改变金属的掺杂，降低BJT的增益
2.避免source和drain的正向偏压
3.增加一个轻掺杂的layer在重掺杂的基体上，阻止侧面电流从垂直BJT到低阻基体上的通路
4. 使用Guard ring: P+ ring环绕nmos并接GND；N+ ring环绕pmos 并接VDD，一方面可以降低Rwell和Rsub的阻值，另一方面可阻止载流子到达BJT的基极。如果可能，可再增加两圈ring。
5. Substrate contact和well contact应尽量靠近source,以降低Rwell和Rsub的阻值。
6.使nmos尽量靠近GND，pmos尽量靠近VDD,保持足够的距离在pmos 和nmos之间以降低引发SCR的可能
7.除在I/O处需采取防Latch up的措施外，凡接I/O的内部mos 也应圈guard ring。
8. I/O处尽量不使用pmos(nwell)

sming薇

自己顶一个,求大神解答

博命zZ

特意去百度了一下那个答案，注意审题，那个人说的是S端和D端都要避免正向偏压，事实上也确实是这样的，S到衬底以及D到衬底都是反偏diode，所以要避免正偏就能理解了

sming薇

博命zZ 发表于 2021-5-31 17:12
特意去百度了一下那个答案，注意审题，那个人说的是S端和D端都要避免正向偏压，事实上也确实是这样的，S到 ...

谢谢大神解答

mary1103

学习了

lynker

衬底接在源级，漏极电压比源级要低就得注意了，我估计这说的是N管