PMOS 还是 NMOS 做 decap ?

黄礼茉 · 发表于 2021-5-12 11:39:21

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弱弱的问，在VDD的电压差情况下，用PMOS和NMOS做power的decap分别有什么不同的考虑呢？

遍体林香 · 发表于 2021-5-13 14:09:20

我建议用nmos，因为pmos带个阱，阱这种东西虽说高性能必要，但是风险也大，处理不好各种寄生bjt就来了，甚至latch-up

夜冷了 · 发表于 2021-5-13 23:37:47

一般都可以，注意打环；

黄礼茉 · 发表于 2021-5-31 10:31:26

遍体林香发表于 2021-5-13 14:09
我建议用nmos，因为pmos带个阱，阱这种东西虽说高性能必要，但是风险也大，处理不好各种寄生bjt就来了，甚 ...

看到有说法，nmos电容在充放电的时候会couple到衬底，而pmos则之间用电源提供couple时的电流需求

黄礼茉 · 发表于 2021-5-31 10:32:21

夜冷了发表于 2021-5-13 23:37
一般都可以，注意打环；

打环这点确实是要注意，谢谢！

nwpuwangxf · 发表于 2021-5-31 19:44:22

黄礼茉发表于 2021-5-31 10:32
打环这点确实是要注意，谢谢！

打环的必要性在于？

diabol · 发表于 2021-6-1 13:39:04

nwpuwangxf 发表于 2021-5-31 19:44
打环的必要性在于？

Reduce the risk of charging induced latch-up

rickandmorty · 发表于 2021-6-1 16:43:47

在90nm以上采用单个mos做decap不管用nmos和pmos都差不多，不过建议采用pmos，因为pmos的gate leakage会好些，如果在90nm以下的时候，单个mos做decap有esd风险，不建议

nwpuwangxf · 发表于 2021-6-2 14:52:02

diabol 发表于 2021-6-1 13:39
Reduce the risk of charging induced latch-up

多谢

夜冷了 · 发表于 2021-6-3 02:40:29

rickandmorty 发表于 2021-6-1 16:43
在90nm以上采用单个mos做decap不管用nmos和pmos都差不多，不过建议采用pmos，因为pmos的gate leakage会好些 ...

请教一下，90nm以下，单个nmos 做decap 会有esd风险，是什么原因？

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