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[求助] SCR为什么只能用于Primary ESD防护,而不能用于Secondary ESD防护?

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发表于 2021-5-5 21:47:53 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在TSMC N12的ESD防护规则中,SCR为什么只能用于Primary ESD防护,而不能用于Secondary ESD防护?求大神解答
发表于 2021-5-5 23:10:09 | 显示全部楼层
电压太低。
发表于 2021-5-6 06:29:38 | 显示全部楼层
个人认为scr有个最小维持电流,ESD第二级已经没有太大的电流了,所以第二级用scr没什么意义。也可能scr触发电压高,保护不了。
 楼主| 发表于 2021-5-6 12:31:47 | 显示全部楼层


demonhunter 发表于 2021-5-6 06:29
个人认为scr有个最小维持电流,ESD第二级已经没有太大的电流了,所以第二级用scr没什么意义。也可能scr触发 ...


ESD中SCR的IV特性曲线和NMOS管的snapback很类似,不清楚具体参数,是不是VT1(第一次触发)较高?

 楼主| 发表于 2021-5-6 12:34:47 | 显示全部楼层


能具体详细的说明一下吗?
发表于 2021-5-13 09:26:33 | 显示全部楼层
SCR vt1太高了,作为二级保护device很可能SCR没有打开,被保护的device已经被打坏。
要是你有确切的TLP参数,可以根据TLP参数进行ESD设计。

 楼主| 发表于 2021-5-13 14:45:38 | 显示全部楼层


mars0904 发表于 2021-5-13 09:26
SCR vt1太高了,作为二级保护device很可能SCR没有打开,被保护的device已经被打坏。
要是你有确切的TLP参数 ...


感谢,明白
 楼主| 发表于 2021-5-13 14:48:14 | 显示全部楼层


mars0904 发表于 2021-5-13 09:26
SCR vt1太高了,作为二级保护device很可能SCR没有打开,被保护的device已经被打坏。
要是你有确切的TLP参数 ...


如果设计时SCR的开启电压太低,容易产生闩锁,所有SCR可以用于I/O gate(厚栅管子)的二级保护

发表于 2021-5-13 17:42:14 | 显示全部楼层


zhangyang370281 发表于 2021-5-13 14:48
如果设计时SCR的开启电压太低,容易产生闩锁,所有SCR可以用于I/O gate(厚栅管子)的二级保护

...


你只关心了VH太低有问题,那你考虑过VT1太高会怎么样吗?
VT1过高,还能保护gate吗?
 楼主| 发表于 2021-5-14 10:21:05 | 显示全部楼层


mars0904 发表于 2021-5-13 17:42
你只关心了VH太低有问题,那你考虑过VT1太高会怎么样吗?
VT1过高,还能保护gate吗?
...


明白,明白
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