为什么现在工艺在芯片ESD设计时，要全局ESD bus？

zhangyang370281 · 发表于 2021-5-5 21:41:24

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最近在阅读各家工艺厂商的DRM和ESD rule，看了SIMC40、SIMC N14、TSMC N12、HuaLi N28、GF 65 、GSMC 130、HHNEC 130等等各家工艺厂商的DRM文档，发现一个有趣的现象，自从N28之后，各家工艺厂商均提出了全局ESD bus，特别是IO Ring设计时，IO cell已经不提供全CUT（CUT Post VDDE/GNDE和 Pre VDD/GND），而是提供了半CUT（只有全局VSS联通，其余PG Ring均断开），且模拟IO 一定是有两条VSS（一条是模拟VSS，一条是全局VSS（可以和数字域的全局VSS连接）），而以前的工艺模拟IO是不具有全局VSS的（只有一条模拟VSS）
问题来，为什么现代先进工艺不再提供全CUT了，且一定要有一个全局ESD bus?全局ESD BUS有那么重要吗？

ZMOS · 发表于 2021-5-8 10:29:36

我也在思考为何会有ESD全局VSS，而且是和psubshort在一起的，是不是说psub电位是数字地的？

zhangyang370281 · 发表于 2021-5-8 19:40:20

ZMOS 发表于 2021-5-8 10:29
我也在思考为何会有ESD全局VSS，而且是和psubshort在一起的，是不是说psub电位是数字地的？ ...

虽然说全局ESD VSS适合psub short到一起，但是并不能说明psub一定时数字地的，比如模拟电路区域psub是和模拟VSS short到一起的，（模拟区域未作DNW隔离），而模拟区域的psub和数字区域的psub是一个psub的，相当于模拟VSS和数字VSS通过psub softconnect(软连接)到一起了