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发表于 2021-5-5 13:36:05
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个人觉得mismatch分为随机失配和系统失配;
随机失配是由于微观随机物理机制产生的, 即使两个版图完美匹配的器件也存在随机性失配; 比如两个版图完全匹配的电容A与B, 其容值会有随机偏差; 如果测量多个这样的匹配器件, A和B各自的平均电容值应该接近一致; 随机性失配与器件面积有关.
系统失配是由于版图不够匹配造成的固定失配, 比如MOS朝向不同Vth应该会有一定偏差. 测量多次, A与B各自的Vth平均值也会存在偏差.
工艺模型中的mismatch数据通常是工艺厂在版图完美匹配的情况测量的随机性失配数据, 所以前仿真可以检查随机性失配, 其结果应该是最优的结果.
后仿真会增加版图的走线寄生参数, 如果是BSIM4的MOS还会有LDE相关的参数(比如LOD, WPE), 如果由于版图不够完美造成这些参数不匹配, 则后仿真可以看到系统失配. 对于版图抽取无法反映或者模型中无法仿真的差别(比如器件朝向不同带来的系统失配), 只能靠手工检查. |
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