在线咨询 切换到宽版
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网

 找回密码
 注册

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

搜全文
楼主: hjc19951212

[求助] TSMC65GP工艺蒙特卡洛仿真model选择问题

[复制链接]
 楼主| 发表于 2021-9-3 14:09:12 | 显示全部楼层


   
Sunan_22 发表于 2021-9-3 11:02
你的意思是你的model file缺少了你电路中用到的管子是吗?


管子没缺,缺管子对应的蒙卡的部分 要加入mc_lvt mc mc_mismatch_lvt 同时还要把mismatch的设置参数设置为1表示加入mismatch
回复 支持 1 反对 0

使用道具 举报

发表于 2021-9-3 16:58:35 | 显示全部楼层


   
hjc19951212 发表于 2021-9-3 14:09
管子没缺,缺管子对应的蒙卡的部分 要加入mc_lvt mc mc_mismatch_lvt 同时还要把mismatch的设置参数设置 ...


明白 是model lib的配置不对,mc跑不起来
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2022-4-9 12:06:19 | 显示全部楼层
MC相关电路设计基本流程

第一步:TT下设计电路并验证

第二步:PVT Corner验证,如有必要需要对电路进行优化。在这一步中需要找到电路对应的极端Corner。

第三步:固定Corner(主要考虑极端Corner),跑Mismatch的MC,MC点数可以取少一点,我觉得50个就差不多了。这一步我们需要选择的Corner是TTG/SSG/FFG/SFG/FSG等,MC Analysis Variation选择Mismatch Only。

第四步:TT Corner下跑Process+Mismatch的MC,这一步MC总样本数要足够,通常在1000以上。Corner选择MOS_MC/RES_MC等,MC Analysis Variation选择Process+Mismatch。

关于第三步和第四步,进一步做几点解释。
第三步的仿真结果最极端,第四步的仿真结果更加符合实际情况。

第四步之所以样本数要很多,主要是因为这一步的MC仿真中Global Variation和Local Variation都在刷新,从样本数的角度,Global Variation数量*Local Variation数量就是总的MC样本数。

第四步,工艺参数(迁移率u、tox、cox等)以TT为圆心,以正太分布的形式朝四周扩散开来,其±3sigma可以理解为SS和FF。出来的MC样本数中,不但包括TT/SS/FF/SF/FS,也包括很多中间态Corner,越是边界极端Corner,分到的样本数越少,总之大家遵循正太高斯分布,更接近于真实情况。

关于Process、Mismatch、Process & Mismatch

我们在仿真MC的时候Analysis Variation可以有三种选项,分别是Process、Mismatch、Process & Mismatch。

选Process
MC每RUN一次,Global Variation(Die-to-Die)相关的模型参数会重新随机生成(遵循正太分布);而Local Variation (Device-to-Device 的Mismatch)相关的模型参数则不会刷新(所有样本采用同一组参数)。

选Mismatch
MC每RUN一次,Global Variation(Die-to-Die)相关的模型参数都不会刷新;而Local Variation (Device-to-Device 的Mismatch)相关的模型参数则会刷新一次。

选Process+Mismatch
MC每RUN一次,Global Variation(Die-to-Die)和Local Variation (Device-to-Device 的Mismatch)相关的模型参数都会重新随机生成。

关于MC更加详细的解释可以参考这篇文章:
https://mp.weixin.qq.com/s?__biz ... 5&lang=zh_CN#rd
回复 支持 9 反对 1

使用道具 举报

发表于 2022-10-18 21:00:24 | 显示全部楼层
请问服务器里的TSMC N65LP里面没有toplevel.scs怎么办呀,我用其他的工艺库跑蒙卡跑不了
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2023-3-23 14:20:41 | 显示全部楼层


   
mouseliu 发表于 2022-4-9 12:06
MC相关电路设计基本流程

第一步:TT下设计电路并验证


多谢,那请教一下,第四步的电压温度要不要变化呢?
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2023-4-10 16:55:51 | 显示全部楼层


   
mouseliu 发表于 2022-4-9 12:06
MC相关电路设计基本流程

第一步:TT下设计电路并验证


你好,请问做仿真扫描PVT,corners 扫描,比如bg sim,有必要res_ss/ff/tt和mos_tt/ff/ss/fs/sf 混搭吗?还是同一片wafer,可以认为是res_ss和mos_ss 保持一致,其他变化用mc覆盖,谢谢。
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2023-4-10 17:03:13 | 显示全部楼层


   
摩卡咖啡 发表于 2023-3-23 14:20
多谢,那请教一下,第四步的电压温度要不要变化呢?


MC时默认温度固定
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2023-4-25 09:19:30 | 显示全部楼层
学习了!
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2024-6-4 20:37:25 | 显示全部楼层
可以分享一下GP的库吗
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

手机版| 小黑屋| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-10-8 07:14 , Processed in 0.017605 second(s), 4 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表