TSMC65GP工艺蒙特卡洛仿真model选择问题

hjc19951212

Sunan_22 发表于 2021-9-3 11:02
你的意思是你的model file缺少了你电路中用到的管子是吗？

管子没缺，缺管子对应的蒙卡的部分 要加入mc_lvt mc mc_mismatch_lvt 同时还要把mismatch的设置参数设置为1表示加入mismatch

Sunan_22

hjc19951212 发表于 2021-9-3 14:09
管子没缺，缺管子对应的蒙卡的部分 要加入mc_lvt mc mc_mismatch_lvt 同时还要把mismatch的设置参数设置 ...

明白 是model lib的配置不对，mc跑不起来

mouseliu

MC相关电路设计基本流程

第一步：TT下设计电路并验证

第二步：PVT Corner验证，如有必要需要对电路进行优化。在这一步中需要找到电路对应的极端Corner。

第三步：固定Corner（主要考虑极端Corner），跑Mismatch的MC，MC点数可以取少一点，我觉得50个就差不多了。这一步我们需要选择的Corner是TTG/SSG/FFG/SFG/FSG等，MC Analysis Variation选择Mismatch Only。

第四步：TT Corner下跑Process+Mismatch的MC，这一步MC总样本数要足够，通常在1000以上。Corner选择MOS_MC/RES_MC等，MC Analysis Variation选择Process+Mismatch。

关于第三步和第四步，进一步做几点解释。
第三步的仿真结果最极端，第四步的仿真结果更加符合实际情况。

第四步之所以样本数要很多，主要是因为这一步的MC仿真中Global Variation和Local Variation都在刷新，从样本数的角度，Global Variation数量*Local Variation数量就是总的MC样本数。

第四步，工艺参数（迁移率u、tox、cox等）以TT为圆心，以正太分布的形式朝四周扩散开来，其±3sigma可以理解为SS和FF。出来的MC样本数中，不但包括TT/SS/FF/SF/FS，也包括很多中间态Corner，越是边界极端Corner，分到的样本数越少，总之大家遵循正太高斯分布，更接近于真实情况。

关于Process、Mismatch、Process & Mismatch

我们在仿真MC的时候Analysis Variation可以有三种选项，分别是Process、Mismatch、Process & Mismatch。

选Process
MC每RUN一次，Global Variation（Die-to-Die）相关的模型参数会重新随机生成（遵循正太分布）；而Local Variation (Device-to-Device 的Mismatch)相关的模型参数则不会刷新（所有样本采用同一组参数）。

选Mismatch
MC每RUN一次，Global Variation（Die-to-Die）相关的模型参数都不会刷新；而Local Variation (Device-to-Device 的Mismatch)相关的模型参数则会刷新一次。

选Process+Mismatch
MC每RUN一次，Global Variation（Die-to-Die）和Local Variation (Device-to-Device 的Mismatch)相关的模型参数都会重新随机生成。

关于MC更加详细的解释可以参考这篇文章：
https://mp.weixin.qq.com/s?__biz ... 5&lang=zh_CN#rd

摩卡咖啡

mouseliu 发表于 2022-4-9 12:06
MC相关电路设计基本流程

第一步：TT下设计电路并验证

多谢，那请教一下，第四步的电压温度要不要变化呢？

zhuhelao

mouseliu 发表于 2022-4-9 12:06
MC相关电路设计基本流程

第一步：TT下设计电路并验证

你好，请问做仿真扫描PVT，corners 扫描，比如bg sim,有必要res_ss/ff/tt和mos_tt/ff/ss/fs/sf 混搭吗？还是同一片wafer,可以认为是res_ss和mos_ss 保持一致，其他变化用mc覆盖，谢谢。

zhuhelao

摩卡咖啡 发表于 2023-3-23 14:20
多谢，那请教一下，第四步的电压温度要不要变化呢？

MC时默认温度固定

JIRARA大尉

学习了！

kairui_shuaiqi

可以分享一下GP的库吗