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楼主: zhangyang370281

[求助] 在TSMC N12FFC工艺,为什么增加了跨域的power clamp就不需要信号的CDM保护了?

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发表于 2021-11-18 20:48:18 | 显示全部楼层


ksj116 发表于 2021-4-25 22:48
因为信号口的CDM 风险被跨电压域给释放掉了。你想想,原本VSSB 的CDM 风险是不是可以通过VDDA/VSSB的clamp ...


跨电源域的,  GND1和GND2之间使用两个反向的二极管首位相接是通过GND1和GND2来泄电吗?
发表于 2021-11-18 20:57:13 | 显示全部楼层


zhangyang370281 发表于 2021-5-13 13:04
这个怎么理解在CDM ESD中,cross domain power clamp的钳位电压的作用,cross domain power clamp一般都 ...


一般CDM cell是foundry提供的吗?
发表于 2022-6-24 10:54:26 | 显示全部楼层


zhangyang370281 发表于 2021-4-26 12:45
首先不是所有的跨域信号都得加level_shift或者iso cell,比如两个同电压的不同电压域,其次即使增加了lev ...


请教带CDM保护的lvlshift是什么样的?能提供给我参考一下吗?
发表于 2022-8-9 16:38:31 | 显示全部楼层
非常有用谢谢
发表于 2022-8-26 17:34:00 | 显示全部楼层
加了跨域的power clamp。就不会有CDM问题了。
发表于 2022-11-22 18:50:05 | 显示全部楼层
学习一下
发表于 2023-4-23 10:28:03 | 显示全部楼层


ksj116 发表于 2021-4-29 06:41
那请问下,power clamp开启原理是:clamp开启是靠rc时间常数吗?  RC 是什么意义。这个搞清楚了自然就知 ...


您好,您说的bouding short是不是指封装上short起来?我们有项目遇到类似问题,cross-domian漏了一组PClamp,各自domain的ground在芯片的top-level是分开的,但是封装上是连起来的,这种能作为common-ground的条件把这个问题waive掉么?
发表于 2023-5-5 16:45:06 | 显示全部楼层
借楼请教一个问题:
CDM电阻一般要求200ohm,这个电阻的实际意义是什么呢?
对于高速电路应用中可以降低这个电阻值吗?
 楼主| 发表于 2023-11-3 21:22:58 | 显示全部楼层


Yury_Sun 发表于 2023-5-5 16:45
借楼请教一个问题:
CDM电阻一般要求200ohm,这个电阻的实际意义是什么呢?
对于高速电路应用中可以降低这 ...


限流分压作用,和二级ESD保护器件一起,帮助钳位栅极电压
发表于 2024-3-24 20:58:44 | 显示全部楼层


tangzi11 发表于 2023-4-23 10:28
您好,您说的bouding short是不是指封装上short起来?我们有项目遇到类似问题,cross-domian漏了一组PCla ...


不懂请教各位大神,是否意味着如果跨域但是共地的coss domain 可以不添加接口信号上的CDM器件,另外这种通过在封装基板上bonding在一起是否也可认为共地
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