DNW工艺的问题

小不点_shuting · 发表于 2021-4-23 17:38:35

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我想问一下大家在DNW工艺中，pmos的b端电位不一样版图中要怎么隔离呢

hypo029 · 发表于 2021-4-25 20:33:14

给不同阱电位不就行了

jamesfeng · 发表于 2021-4-26 10:27:42

用Nwell隔离不同电位的pwell

monika.er · 发表于 2021-4-26 10:49:50

我理解是pmos衬底是NW电位，版图中单独放，跟其他DNW的NW电位中间用Ptap隔离

@@@12 · 发表于 2021-4-26 11:42:02

直接两个NWELL 分开放就行了不能放置在一个DNW里面的

刚会飞的菜鸟 · 发表于 2021-4-26 17:21:15

不能放在一个DNW中，或者给两个DNW单独圈出，如果一个在DNW，一个不在，不在的那个外圈用psub围住，

刚会飞的菜鸟 · 发表于 2021-4-26 17:22:35

不能放在一个DNW中，或者给两个DNW单独圈出，

Lhhm · 发表于 2024-3-6 15:24:34

想问如若不是DNW的情况，不同电位的psub用nwel隔离开，仍旧报softchk,有剖面图解释一下吗，按道理也应该报，但是自己讲不清楚为啥

tea_whz · 发表于 2024-3-6 15:36:52

Lhhm 发表于 2024-3-6 15:24
想问如若不是DNW的情况，不同电位的psub用nwel隔离开，仍旧报softchk,有剖面图解释一下吗，按道理也应该报 ...

单纯用NWell环是不能从物理上隔开psub的

东关扣将小王 · 发表于 2024-3-6 19:57:03

Lhhm 发表于 2024-3-6 15:24
想问如若不是DNW的情况，不同电位的psub用nwel隔离开，仍旧报softchk,有剖面图解释一下吗，按道理也应该报 ...

我做过的工艺里只能形成扩散较浅的nwell作为墙，要配合扩散更深的DNW作为地板，形成像碗一样的隔离岛才能隔离出一块单独的psub

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