初学者被 “有源区” 的两个不同版本给搞混了

wenfangsibao · 发表于 2021-4-6 18:38:17

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关于有源区的定义，我看周润德的工艺书籍上是这样定义的，看下图。根据这种说法，有源区就是S/D/GT外加SN(做阱连接的地方）。

有源区.png

但是还有些人认为有源区特指源漏区域。按照这种说法，GT下面和阱连接的地方就不算有源区了。

请大牛指导一下，有源区到底是指哪里，谢谢！

IC_GUZZLE · 发表于 2021-4-6 19:15:13

是不是工艺工程师把有掺杂的区域叫做有源区，IC设计工程师把MOS源漏位置叫有源区咯？应该是叫法习惯问题吧，根据语境环境你应该能区分，反正大不了叫S/D region具体一些咯。

musclerush · 发表于 2021-4-7 08:41:18

你如果是画版图的，你开图层看aa就会发现有源区是包括注入与栅极的重叠区域的。有源区原名active area，这里的active指的是载流子活跃，有源区就是指载流子活跃的区域，mos管沟道导通后载流子在源漏沟道间流动，所以MOS管中的有源区指的是源、漏、沟道（不是栅极也不是gt多晶硅）。此外衬底接触会向衬底补充载流子，因此衬底接触（guardring）也存在有源区。以上是从半导体原理角度对有源区定义进行讲解，从工艺上而言有源区指的就是厚氧隔离外的薄氧化层区域。

不许来我家干饭 · 发表于 2021-4-7 09:07:28

楼上的小狗狗说的对

gtfei · 发表于 2021-4-7 09:25:04

楼上的小恐龙说小狗狗说得对的说得对 @不许来我家干饭

litong717 · 发表于 2021-4-7 10:04:15

本帖最后由 litong717 于 2021-4-7 10:06 编辑

楼上的哈士奇说小恐龙说小狗狗说得对的说得对的说得对@gtfei

wenfangsibao · 发表于 2021-4-7 11:10:45

musclerush 发表于 2021-4-7 08:41
你如果是画版图的，你开图层看aa就会发现有源区是包括注入与栅极的重叠区域的。有源区原名active area，这 ...

注入层或者注入区域是指哪里？这个“注入”是指什么？
应该不是NW,PW吧。查询工艺制程，主要的注入有：第一，阈值电压离子的注入，相应区域就是 S/D/沟道/阱接触；第二，就是源漏重离子注入，包括S/D/阱接触；第三，就是LDD注入，主要是S/D/阱接触。
所以这里的注入区或者注入层就是指S/D/沟道/阱接触吗？

musclerush · 发表于 2021-4-7 14:14:52

wenfangsibao 发表于 2021-4-7 11:10
注入层或者注入区域是指哪里？这个“注入”是指什么？
应该不是NW,PW吧。查询工艺制程，主要的注入有：第 ...

注入的话在版图设计里一般默认为源漏注入，从工艺的角度来讲源漏离子完全一致。你说的衬底、阱注入我们一般直接称呼其结构名衬底（nmos衬底为p-sub，pmos衬底为nwell，你现在看的应该是亚微米级工艺也就是pw和nw）。而你说的ldd在版图设计里一般不可做设计，由代工厂自行加工。考虑到你可能是一名萌新工艺工程师，你只需要从工艺的角度去记住源区——非厚氧化层的区域全是有源区（在亚微米工艺里就是LOCOS以外的区域、在深亚微米工艺里就是STI以外的区域）。最后再强调一遍如果你和版图工程师打交道，他说注入一般就是指源漏注入，其他的要么接触不到要么都是直呼结构名。

bing_bing · 发表于 2021-4-8 15:26:20

狗狗们都说的对学习了

sogaside · 发表于 2022-1-13 09:26:15

狗狗们都好强了

[讨论] 初学者被 “有源区” 的两个不同版本给搞混了

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