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本帖最后由 andy2000a 于 2023-8-18 09:15 编辑
Update. 目前知道 方法 就 ldmos 的gate-source 间需去卡住电压 , 很多用 zener diode 做 . 另外 mos 需低压 mos 串高电压 ldmos . 因为 低压mos 特性 . 好 , ldmos则挡高电压 -------------------
工艺无法用 厚oxide hv mos , 只能用 ldmos.
需做一个 rail-to-rail opa , vin=0~+/-20v vo = +/-20v ,
目前想用 工艺 40v ldmos , p-sub 有 epi 可让 sub接-10v, 做+/-20v circuit . 如果为 BCD 40v ldmos . 因为 ldmosvgs < 5v . 但 , 输入 一般都 pmos一组 nmos 一组 . 但输入端 pmos, nmos vin <5v, 若 vin 0~20v 会超过 .
再来如 ldmos 类 做 invert gate 输入也会 vgs < 5v , 无法 0~20v .
有没类似电路设计, 特别做 正 负压电路
thankyou . |