折叠式共源共栅放大电路PVT

ycjack · 发表于 2021-3-25 22:03:36

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单级NMOS输入折叠式共源共栅运放的电源电压VDD=12~55V，输入电压范围最高可到VDD。
设置共模电压为VDD，仿真电源电压VDD=12~55V和温度-40~125°时，开环增益为32~47dB，但是仿真工艺角时增益会明显下降，发现此时的静态工作点发生偏移，输入对管进入了深线性区。
对于输入共模电压为VDD时输入对管很容易进入线性区，请问如何改善这个问题？谢谢各位！

补充内容 (2021-5-21 10:29):
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ycjack · 发表于 2021-3-25 22:05:04

novaming · 发表于 2021-3-26 00:29:47

12-55V，你有这么高的电压？

ycjack · 发表于 2021-3-26 10:06:45

问题解决了，静态工作点设置不合理，余量不够导致VTH变化时管子不再饱和了。

wangshixin · 发表于 2021-3-26 10:13:20

ycjack 发表于 2021-3-26 10:06
问题解决了，静态工作点设置不合理，余量不够导致VTH变化时管子不再饱和了。 ...

厉害，太强了！

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[讨论] 折叠式共源共栅放大电路PVT

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