LCVCO结构选择和降低相噪的方法

模拟萌新 · 发表于 2021-3-19 11:31:31

研究生初入模拟，最近在搭0.8V下10G中频的LCVCO为了达到最小的相噪应该选择哪种结构呢，单N,单P还是CMOS？如何调电路达到最低相噪？（ps：用的65库）

fhy420462303 · 发表于 2021-3-19 13:59:37

都搭建起来仿真一下看看吧

不负时光 · 发表于 2021-3-19 14:52:34

向大佬学习，我今天才开始看VCO

海马懒人 · 发表于 2021-4-21 10:41:39

三种结构LCVCO相噪对比.docx (59.15 KB, 下载次数: 255 )

yjj_123 · 发表于 2021-4-30 19:35:06

海马懒人发表于 2021-4-21 10:41

用class C 或者电流复用结构

thomas9211 · 发表于 2021-5-2 19:36:03

海马懒人发表于 2021-4-21 10:41

我覺得這個需要把power 都一致來比較
會比較公平

海马懒人 · 发表于 2021-5-6 11:25:39

thomas9211 发表于 2021-5-2 19:36
我覺得這個需要把power 都一致來比較
會比較公平

确实是要看电压电压的，大方向上如果不是低压设计就用互补的结构，低压设计参考我说的PMOS和NMOS的对比。我的这个不选互补就是因为互补结构下尾电流管到了线性区。

DDBKOBE · 发表于 2021-5-6 11:54:33

我一般使用单N工作在C类模式

浪荡的中微子 · 发表于 2022-8-1 12:53:42

DDBKOBE 发表于 2021-5-6 11:54
我一般使用单N工作在C类模式

请问您设计低PN情况的话，为何要用单N呢，因为单P寄生电容更大影响FTR嘛？还有就是，一般不用尾电流管仿真结果更好，请问您推荐不使用尾管的单P吗？

九磅十五便士 · 发表于 2023-3-11 11:00:28

学习一下

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