片内无电容LDO，求个参考设计。

fengluan · 发表于 2021-3-9 15:18:47

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输出电压1.2V，也就是1.2V 的bandgap加电压跟随器。

这样设计结构很简单。但是仿真发现电流突变的ripple太大。

LDO输出电流100mA。给片内SOC供电。

有什么好的设计方案？

不负时光 · 发表于 2021-3-9 15:58:08

bg做的吗，结构新颖，学习一下

acging · 发表于 2021-3-9 19:03:45

bandgap+buffer吗？
100mA buffer推有点大啊

fengluan83 · 发表于 2021-3-9 21:27:21

觉得bandgap+buffer无法实现快速响应，还是需要参考capless ldo

chenximing · 发表于 2021-3-9 22:25:52

1.负载跳变，负载跳变波形怎么样来的？
2.100mA是SOC里面，什么样的负载电流？

[求助] 片内无电容LDO，求个参考设计。