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查看: 1458|回复: 4

[求助] 求教,关于一个环形cmosVCO相噪的仿真

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发表于 2021-3-4 16:27:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 Baca. 于 2021-3-4 16:47 编辑

现在有一个tsmc的28nm工艺做的VCO,频率大概在9-16G,根据瞬态仿真功耗大概在4.6mw。按照官方的文档进行相噪的仿真,中心频率在13G左右结果频偏在10k时的相噪还大于0dbc/hz,这是正常的吗?还有现在cadence是6.17的,很多地方和官方的教程文档不一样(很多按钮和界面不一样),我仿真的方法如图,求大佬指教,非常感谢!
屏幕截图 2021-03-04 162543.png 屏幕截图 2021-03-04 162144.png 屏幕截图 2021-03-04 162108.png
 楼主| 发表于 2021-3-4 16:34:51 | 显示全部楼层
振荡器是对称负载的环形振荡器
 楼主| 发表于 2021-3-4 16:37:21 | 显示全部楼层
我看别的论文相噪都好低,至少比我得出的结果低很多,是我的仿真有问题吗,如果不是的话那可能是电路的原因
 楼主| 发表于 2021-3-4 16:38:56 | 显示全部楼层
求教,上面四个usb,lsb ,am,pm都是总的相噪的贡献成分是吗,具体分别指什么呢
 楼主| 发表于 2021-3-4 16:41:31 | 显示全部楼层
求教,am,pm,usb,lsb这四个是总的相噪的贡献成分吗,分别具体指什么呢
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