由带隙基准引申出来的一些问题求助

yezii · 发表于 2021-2-27 21:00:01

struggleX 发表于 2021-2-25 14:38
楼主，请问bandgap的PMOS电流镜对管的gm和BJT产生delta VBE压差的电阻分别是多少？ ...

PMOS电流镜对管的gm为25.223u，BJT产生delta VBE压差的电阻用的是高阻型电阻，阻值为8.28462千欧。不知道这个电路有没有问题？我仿的VREF有1.294V，温漂为4.667ppm/℃，简直难以置信。这个电路没有启动电路可以吗？我看其他带隙用了偏置电路，还得加启动电路去消除简并点的影响，不知道怎样去仿真电路的简并点？

yezii · 发表于 2021-2-27 22:01:01

之前没测瞬态，现在测发觉它振荡了，想问下是什么原因？还是因为运放的稳定性问题？

Huangshu · 发表于 2021-3-1 11:51:09

本帖最后由 Huangshu 于 2021-3-1 11:54 编辑

米勒电容需要串个调零电阻，看运放的图有点像有右半平面零点在100MHz左右

struggleX · 发表于 2021-3-2 10:02:02

yezii 发表于 2021-2-27 21:00
PMOS电流镜对管的gm为25.223u，BJT产生delta VBE压差的电阻用的是高阻型电阻，阻值为8.28462千欧。不知道 ...

根据你提供的这两个值，可以看出在OPA接入bandgap环路时，OPA外部这一级放大的倍数小于1，所以你给出的图里也看出了接入bandgap后的整体增益相对单仿OPA降低了，增益降低相位裕度自然会得到提升。

关于简并点的问题，你的电路确实需要启动电路的，如果给电路加初值应该可以让其DC仿真到另一个工作状态。

关于振荡的问题，你给出的图里振荡幅度太小了，只有pv级别，确定是振荡而不是噪声？

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