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[求助] LVDS设计求助

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发表于 2021-2-22 21:02:02 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在设计LVDS driver时,框图如下: image.png 初始设想是用下边nmos当电流源,上方的电流源用CMFB控制,这样在电源电压为1.8V时也比较好设计,但是有一个spec,是当输出短路到地时,差分输出每端到地的电流小于12mA,如果采用刚才的设计,CMFB会一直向输出注入电流,违反spec。但是如果上方pmos用电流源,下方NMOS用CMFB控制,虽然spec满足,但是电源电压较低的时候,性能就不是很好了,所以想问下大家之前设计时是怎么考虑的?
发表于 2021-2-23 20:27:55 | 显示全部楼层
性能不是很好了具体是指哪方面呢?还有就是,1.8V VDD的LVDS driver共模电平都会降到1V左右,而不是标准的1.2V了
 楼主| 发表于 2021-2-24 16:57:03 | 显示全部楼层


磐磬 发表于 2021-2-23 20:27
性能不是很好了具体是指哪方面呢?还有就是,1.8V VDD的LVDS driver共模电平都会降到1V左右,而不是标准的1 ...


谢谢回复,如果电流源用PMOS做,在350mV的幅度下,当电源电压极端下降10%到1.62时,电流源可能就在饱和区的边缘附近,幅度就要下降,虽然也在spec范围内,但是variation相对大一些,如果要求多个lane的matching会考虑的多一些。有一个疑问,LVDS的TIA644 的spec不是规定共模电平在1.125V~1.375V吗?您的意思是选靠近1.125V的共模?
发表于 2021-2-24 20:27:55 | 显示全部楼层
我指的是在产品应用里面,当VDD降到1.8V时,可以相应地下降一些Vcm,此时应该不是一个标准的LVDS电平了。
LVDS.png
发表于 2021-2-25 13:55:36 | 显示全部楼层
还有一种方法,上下都用电流源;
输出P/N中间连两个电阻,中点接个VCM;
上下的电流差量被VCM吸收,
 楼主| 发表于 2021-3-8 18:13:13 | 显示全部楼层


磐磬 发表于 2021-2-24 20:27
我指的是在产品应用里面,当VDD降到1.8V时,可以相应地下降一些Vcm,此时应该不是一个标准的LVDS电平了。 ...


嗯嗯,我看有的产品里确实是这么弄的,我们的还是参考spec来的,所以设计起来就有点费力
 楼主| 发表于 2021-3-8 18:14:52 | 显示全部楼层


ericking0 发表于 2021-2-25 13:55
还有一种方法,上下都用电流源;
输出P/N中间连两个电阻,中点接个VCM;
上下的电流差量被VCM吸收, ...


谢谢回复,不太明白,上下都用电流源,那CMFB控制哪里呢?
发表于 2021-3-10 21:28:50 | 显示全部楼层


tf001 发表于 2021-3-8 18:14
谢谢回复,不太明白,上下都用电流源,那CMFB控制哪里呢?


没有共模反馈;
OUTP/OUTN之间串连两个电阻,电阻中间抽头接VCM;
打个比方上面电流4mA,下面电流只有3.9mA;
如果没有中间抽头接VCM,那么由于电流源的高阻,直接就拉飞了嘛;
但是如果中间来两个1Kohms的电阻,电阻抽头接VCM,共模想往上拉的时候,
上面1K电阻留到VCM的电流就会增大,VCM节点流到下面1K电阻的电流就会减小,直到达到平衡,本质就是4mA-3.9mA=0.1mA电流被中间的VCM节点吸收了,所以共模就只偏了100mV


 楼主| 发表于 2021-3-12 11:43:44 | 显示全部楼层


ericking0 发表于 2021-3-10 21:28
没有共模反馈;
OUTP/OUTN之间串连两个电阻,电阻中间抽头接VCM;
打个比方上面电流4mA,下面电流只有3.9 ...


谢谢,也就是说我们的VCM不再像CMFB那样做一个检测,而是有电流驱动能力,可以吸收上下电流差的电流,本质VCM做成了一个低阻节点,避免了两个电流源的高阻产生的问题,这样理解对吗?
发表于 2021-3-12 16:27:01 | 显示全部楼层


tf001 发表于 2021-3-12 11:43
谢谢,也就是说我们的VCM不再像CMFB那样做一个检测,而是有电流驱动能力,可以吸收上下电流差的电流,本 ...


差不多就是这个思路;
vds差异导致的系统偏差设法避免掉,剩下的纯粹的random的mismatch靠中间低阻节点吸收;


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