有源区OD，是什么？

tfjim

有源区OD，是什么？
个人理解：为了注入离子，晶圆上开的窗口，没有实际的物理意义

tuohong

lijie5992373

Oxide and Diffusion， Diffusion部分你可以认为是要建楼的地方， Oxide就是楼与楼之间挖的沟槽， 为了隔离用； OD本身是具有实际的结构的！

litong717

啥叫没有实际的物理意义。有关键的物理意义好不，od是一层薄氧化硅层，定义了源漏参杂的区域，部分工艺中well的参杂区域，以及栅氧化层的厚度。

musclerush

有源区工艺上是有对照步骤的，就好像你画了块地（有源区）搞了个小区建了两栋房子（S、D），你会觉得只有那两栋房子存在小区不存在没有意义吗？皮之不存毛将焉附，先有源区再有注入。

litong717

建议仔细学习一下“版图的艺术”或是网上搜索相关资料，了解各层次的作用与工艺流程。

litong717

补充一下，没有这个区域也打不了contact孔，这使得上方导体部分（metal、 poly）和下方注入层（n+n-、 p+p-）之间无法接触。

tfjim

   

lijie5992373 发表于 2021-2-7 09:36
Oxide and Diffusion， Diffusion部分你可以认为是要建楼的地方， Oxide就是楼与楼之间挖的沟槽， 为了隔离 ...

谢谢你的回复 OD 可以理解是要建楼的地方，但不像 Oxide  N+  P+  POLY 有具体的物质材料。个人认为有型无实的

lijie5992373

   

tfjim 发表于 2021-2-7 10:09
谢谢你的回复 OD 可以理解是要建楼的地方，但不像 Oxide  N+  P+  POLY 有具体的物质材料。个人认为有型 ...

OD layer的flow实际上就是STI浅沟槽隔离的flow这样： OD PH--> OD Etch --> Oxide deposition .......有OD图形的地方，被PR保护起来， 没有图形的地方的硅，会被蚀刻掉，然后填充Oxide，作为有源区与有源区之间的隔离；

晶圆上OD图形外的地方的Si都被蚀刻掉了，物理结构被改变了啊，有实际的物理意义

litong717

   

tfjim 发表于 2021-2-7 10:09
谢谢你的回复 OD 可以理解是要建楼的地方，但不像 Oxide  N+  P+  POLY 有具体的物质材料。个人认为有型 ...

要生长氧化层怎么就有形无实了，栅氧化层不是实实在在的东西吗