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[求助] 求大神帮忙分析一下带隙基准电路

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发表于 2020-12-31 14:21:29 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我想问一下下面这个带隙基准电路中,它是如何启动的?带隙基准的运放的输出为什么接图中标红处的那个nmos管?它这样接了之后还能产生与温度无关的基准电压吗?图中标红的运放是做什么用的?它的正端为什么接电阻上方的那端?我有仿过DC、tran、stb,但是结果都不是很理想,能问一下怎样去改进吗?
图1:带隙基准原理图;图2:stb仿真分析结果图;图3:与带隙基准相接的运放原理图

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发表于 2020-12-31 15:05:38 | 显示全部楼层
启动就是最左边那一串电路加上电阻右上方一点的NMOS,如果电路没启动,该NMOS是开启的就会拉低上面pmos的栅极启动电路,如果电路已经启动 此处NMOS是关闭的,不影响基准电路
发表于 2020-12-31 15:10:09 | 显示全部楼层
本帖最后由 xuwenwei 于 2020-12-31 16:47 编辑

多出来的nmos应该只是再多一级放大器吧 这种接法好像对PSR有好处 你这个基准后面的放大器是用来做buffer的,你这个电路产生一个PTAT的电流经过电阻得到一个正温度系数电压再加上左边BJT的Vbe,可以形成一个与温度无关的基准吧
发表于 2020-12-31 16:28:20 | 显示全部楼层
本帖最后由 xux1991 于 2020-12-31 16:53 编辑

这种启动电路还是第一次见,很有创意;
与常见启动电路不同,这里没有直接检测BG输出电压,而是通过NMOS电流镜等作用达到消除简并点的作用;
启动电路中最下方的NMOS管(NM1)、PNP三极管与BG主体电路中的PNP三极管、电阻上方的NMOS管(NM2)对称;假设电路没有启动成功,BG电流接近0,电阻上的压降接近0,电阻上方的PMOS管gate端电压接近电源,MN1与MN2 VGS电压相等;
由于NM2 VDS大于NM1,NM1、NM2电流镜作用,造成NM2导通, PMOS管gate被抽取电流,电压被拉低;
由于PMOS gate端直流电流为0,NM2关断,因此电路达到稳态时,NM2 源端电压即BG输出电压必须超过Vbe+VGS1-Vth,BG成功启动;

发表于 2020-12-31 16:31:26 | 显示全部楼层
stb不满意你可以改放大器,在输出上加电容就行。那个nmos也是控制电流的,多转换一级就不认识了?
右边运放是个buffer,与分析无关
发表于 2020-12-31 17:17:40 | 显示全部楼层
本帖最后由 xux1991 于 2020-12-31 17:26 编辑

标红处的NMOS管与PMOS电流镜作用是提供额外的增益,你可以把它们与前级的运放当作一个整体来看,不就是一个两级运放吗;
两级运放,不做补偿phase margin会不够,有两个高阻抗点,一个是运放输出端,另一个是BG输出点,可以在这两个节点接米勒补偿电容和调零电阻改善相位裕度;
发表于 2020-12-31 17:39:05 | 显示全部楼层
右边标红的运放是做buffer用的。其输出电压等于vbg。同时提高了vref1和vref2的驱动能力,并且通过电阻分压产生vref2。如果后面的电阻是温度系数接近0的,还可以产生0温度系数电流。
 楼主| 发表于 2021-1-1 11:08:54 | 显示全部楼层


stone1005 发表于 2020-12-31 17:39
右边标红的运放是做buffer用的。其输出电压等于vbg。同时提高了vref1和vref2的驱动能力,并且通过电阻分压 ...


能问一下为什么标红的运放正端接电阻上方的一端吗?它这个是有什么作用吗?另外接带隙的运放与nmos管构成二级运放的话,做stb分析的话,iprobe器件是不是应该连接到nmos管输出的那一端?
发表于 2021-1-1 16:39:31 | 显示全部楼层
最好给一下给红圈nmos提供栅压的那个运放的电路图
我估计那个运放是pmos输入对管,nmos负载,所以直接驱动pmos电流镜的话PSRR会很差
 楼主| 发表于 2021-1-2 09:40:39 | 显示全部楼层


victor0o0 发表于 2021-1-1 16:39
最好给一下给红圈nmos提供栅压的那个运放的电路图
我估计那个运放是pmos输入对管,nmos负载,所以直接驱动p ...


那个运放的电路图是图3
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