做了个LDO和bandgap嵌套的结构，为了high psr，这个启动电路是否可以?

20083032 · 发表于 2020-12-24 10:39:04

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l13787908861 · 发表于 2020-12-24 11:08:57

涨知识了，谢谢分享，很实用。

lynker · 发表于 2020-12-24 11:09:10

关注一下

jeffej · 发表于 2020-12-24 16:08:46

which mos for starup?

20083032 · 发表于 2020-12-24 18:59:58

jeffej 发表于 2020-12-24 16:08
which mos for starup?

最右上角四个nmos和最左上角两个pmos。

虎大王 · 发表于 2020-12-25 18:14:57

bandgap core电路有问题吧，接法。

其次，你这个怎么保证不会停在某个中间稳态点。

嵌套式也没必要这么做吧。好好做好上电时序，先用一个不太准的ref把LDO 建立好，bandgap建立好，再将bandgap作为ref切回去当LDO ref不就好了。用的着这么做吗？

虎大王 · 发表于 2020-12-25 18:17:43

此外，high psr也没必要这样做吧。你要真想做，把bandgap换个high psr的结构不就可以了。
专门为bandgap 还做个LDO，也太奢侈了。

lynker · 发表于 2020-12-26 21:39:17

做个预降压的LDO，我都是这么处理

yzx90333 · 发表于 2021-1-3 00:55:48

这样功耗不会低

苏AE86 · 发表于 2021-1-4 09:53:38

虎大王发表于 2020-12-25 18:14
bandgap core电路有问题吧，接法。

其次，你这个怎么保证不会停在某个中间稳态点。

前辈你好，为什么需要先用一个不准的Vref先把LDO建立好？先把BG启动有一个稳定的Vref后，再供给EA。这样做有什么问题吗？

[求助] 做了个LDO和bandgap嵌套的结构，为了high psr，这个启动电路是否可以?