umc 0.18 BCD 工艺该如何防止 latch up

flyunicorn · 发表于 2020-12-14 09:51:22

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最近公司用 umc 0.18 BCD 5V的工艺作个项目，内部电路里面有很多高压NMOS开关控制低压 NMOS电流源各支路，又要压缩面积，DRC文件里只有I/O口的规则，间距太大，对内部电路不合适。有用过这个工艺的吗？高压MOS管与低压MOS 管间距多少合适，有什么实例或参考依据吗？

Quinn714 · 发表于 2020-12-14 10:22:33

用什么做的隔离埋层嘛？

8d8d90292 · 发表于 2020-12-14 13:24:53

DRC文件有定義吧，仔細找找文件

l13787908861 · 发表于 2020-12-14 15:20:42

路过学习很实用谢谢分享

walterlcj · 发表于 2020-12-14 15:37:51

串个200k电阻，做ESD保护下就不需要留距离吧（台积电工艺）/一定要留距离我们一般是12um左右很弹性

jeffej · 发表于 2020-12-14 16:01:39

double guard ring

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