有关标准工艺当中的光电新器件

JunJ学电路 · 发表于 2020-12-6 21:05:41

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我想问一下大家，有没有使用cmos标准工艺设计新器件的经验，在设计新器件的时候如何知道标准工艺的设计规则，比如p阱/n阱掺杂浓度可以改变吗，p阱/n阱深度宽度有限制么。

xiaomage2h · 发表于 2020-12-6 22:33:40

那要看贵司是哪种模式了，如果是IDM的，随你发挥，如果是代工呢，估计foundry大概率不会鸟你。

仅供参考。

JunJ学电路 · 发表于 2020-12-7 18:12:26

xiaomage2h 发表于 2020-12-6 22:33
那要看贵司是哪种模式了，如果是IDM的，随你发挥，如果是代工呢，估计foundry大概率不会鸟你。

仅供参考。 ...

那个我还是学生

samiedition · 发表于 2021-1-10 10:05:06

good job

samiedition · 发表于 2021-1-10 10:19:14

good job

kofkoy2000 · 发表于 2021-6-23 17:56:26

CMOS代工厂一般不会随意修改工艺的。

[求助] 有关标准工艺当中的光电新器件