一种运用于LDO的折回式过流保护电路

苏AE86 · 发表于 2020-11-30 16:36:04

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有哪位前辈用过这个结构的过流保护吗，小弟仿出来这个过流信号一开始就是非常高的值。这个电路通过OCL信号把所接的NMOS导通，功率管的栅极不就直接被拉倒和电源电压一样，然后功率管截止了吗？文章说是把这点钳位了，并且输出一定的负载电流。

stone1005 · 发表于 2020-11-30 17:27:45

从原理上来讲，M2的电流是M1的1/n，M3~M8构成电流比较器。正常工作时，M5~M8的电流要小于M3和M4的电流，因此M9的栅极是高电平。如果M2流过的电流过大，则造成M3和M4的电流减小，从而小于M5~M8的电流，M9的栅极变成低电平，功率管被关断。我猜你的M5~M8的电流参考给的太大了，所以功率管一直是关断的。

苏AE86 · 发表于 2020-11-30 17:54:58

stone1005 发表于 2020-11-30 17:27
从原理上来讲，M2的电流是M1的1/n，M3~M8构成电流比较器。正常工作时，M5~M8的电流要小于M3和M4的电流，因 ...

这个电路的原理是：M3、M4上的电流始终等于M5~M8镜像过来的偏置电流，当负载电流增大时，M2上的电流增大，M3的源级减小，为了保持M3上电流不变，栅极电压会减小。
对于M4,其源级电压不变，故M4的漏极上升。最后的结果是，当负载电流不断上升OCL会一直增大。
R3的作用是使M3的源级能跟随负载电流的变化而变化，R4的作用是为了减小M4的源级，不让OCL一开始就处于一个比较大的值。
您看错了，OCL控制的是一个NMOS。